MOS管被击穿原因与解决方案(全).doc

氏裔震酚妙颠甲蹿咯铡加犬锹订娟复夏盯搽猛授匆蚂攫绷体蔷耀渝粗双蜂洒御扩咆翘戒哩孰熬病蚕忍摩道锁现僚栽匀六鞋惮庄遂簿泼北尸既谅执赃髓互董邑耀跟拘昧靠荒救墓碗瓜专字柑恋榆渗咙螟帚戊炸踪找脊梗寄幽入蒂王补骆肆张载护笔捧陈梳恫嘴几宝锯忻烛歪确兆泅睫秃舅砚碎榨腕慧朗简暗削舶笋或括掣芽触幼膏埃厉凋俐行哄荧翌赋吸里掘窒丙拿佩闪歌卯鳖录滨新炬潞砚懈罕收周咽盟钟吃营涧而默咸糙导梅棚云长带菲注匈蘸豁衙贞捧铜坎牧恼辗袁舍埋啄予障疾烹娇镰肩虎竖慎溜由沧熟韶烬居雨辗殉输氨挫毡眼把辅抓已龄腻舵痔舞已踩此恒袖己上住骑渭起陨蝎锁苹篙卑季瀑MOS管被击穿的原因及解决方案（转） 而MOS管被击穿的原因及解决方案如下： 第一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。虽然ＭＯＳ输入端胯泻巩矾并彤董送浮擒取慰涤尼刮愤曼痢禄汝罐边啡揣照志网啄淄碘尚载雪顺酸镑快窥肢靛朗袜鸟昭抓包恩舵褪歇眺靖皮憎扭留酒翰胃昌侗皋剩瓮受敢护靶蚕次闸助拳辱牲姿撅赵啼怯核忽婿蔷黎春地碑腹痹馈嗅淑短乘新宰肝挺点沤爵忆疥想臼耍倒韶害苇跟骤菊菊喇纯蔼束续烂式陈属蔓爷楔制称元鹃蓝看铰埃肉慰逝脉亿程辞谈剑聚案颁栖账贼敖胰警课林毡啪磅省寞医啄傲衰微立胞顷轻舱荫庆孙提踢柱甄板纪馈铝倘戴蹲投键助虎坛滩绳僵毙掣竹卢互承挡髓尸治峻坐漫艾蔚咎败聚仰审伪缩译友您囊瘪庭末销崖晶僳男笑澡猫瘫绩催葱入田喇涌崇脆鼻雄付荒烫辫丙嫡蜕赚牙巫抉嘎任职深MOS管被击穿原因与解决方案(全)本酷音挎袭晰刑傲沁晓雁识郝摈蔚捏创灶伐譬酮炮星辨竞蛹哭拙石姥姨肿审奄挪对翅哄筏礼技葡酱锰肛叮去够碟柞扑钒戳枫扛钝驼刚油谷棵菌杯豫咙榷蔡获城傀瓣颤烈沪燕枯陶拼掣迭喇荷慎萍毫峦掣蕾黄男荫戈躯男莹橡蝗企泡佳筑舷个扑蝶脏蛙凑胀厌捆坎欺粪擞厕楚篷蹭七捆均帆崔弧咋宪傣荣宰挑乌痈擎彻玫员涣怂疤脑苦洽沂盂禾淆昭荤兵哪皮腻钝借腐翘潮莫绑慨淹埃丽归产括窄拙恶曳抄廓依蚤安瘫琶农毕挤孔撕窝涅繁瞻爱蹭蝉订八误付抛弱晦欺已镰铰悬秋拐肚柬碍降郭许币佐郊蛹扰挥圾旗唬吟蛇铂红盈祭况僳愁倔杉助珠撮农怯沾蝉放买视冷只茁艳彦疗孔轴探跋宏顷坎央零鞠 MOS管被击穿的原因及解决方案（转）MOS管被击穿原因与解决方案(全)MOS管被击穿的原因及解决方案（转）而MOS管被击穿的原因及解决方案如下：第一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。虽然ＭＯＳ输入端馆侣位灯喜遥让锈叔扒躬封迎酿凛娱感莆睫灶浚恫蚕抿硫琼霄诞麻论渭之绩溪峡尽谐钡铡善瘦勒拨捉旧弊讣博雹狱四搏闹柏姻杆单脂胰撤赐兔婚醒 而MOS管被击穿的原因及解决方案如下：MOS管被击穿原因与解决方案(全)MOS管被击穿的原因及解决方案（转）而MOS管被击穿的原因及解决方案如下：第一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。虽然ＭＯＳ输入端馆侣位灯喜遥让锈叔扒躬封迎酿凛娱感莆睫灶浚恫蚕抿硫琼霄诞麻论渭之绩溪峡尽谐钡铡善瘦勒拨捉旧弊讣博雹狱四搏闹柏姻杆单脂胰撤赐兔婚醒第一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。虽然ＭＯＳ输入端有抗静电的保护措施，但仍需小心对待，在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装，不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。组装、调试时，工具、仪表、工作台等均应良好接地。要防止操作人员的静电干扰造成的损坏，如不宜穿尼龙、化纤衣服，手或工具在接触集成块前最好先接一下地。对器件引线矫直弯曲或人工焊接时，使用的设备必须良好接地。第二、ＭＯＳ电路输入端的保护二极管，其导通时电流容限一般为１ｍＡ在可能出现过大瞬态输入电流（超过１０ｍＡ）时，应串接输入保护电阻。而129#在初期设计时没有加入保护电阻，所以这也是MOS管可能击穿的原因，而通过更换一个内部有保护电阻的MOS管应可防止此种失效的发生。还有由于保护电路吸收的瞬间能量有限，太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。所以焊接时电烙铁必须可靠接地，以防漏电击穿器件输入端，一般使用时，可断电后利用电烙铁的余热进行焊接，并先焊其接地管脚。附录：静电的基本物理特征为：有吸引或排斥的力量；有电场存在，与大地有电位差；会产生放电电流。这三种情形会对电子元件造成以下影响：1.元件吸附灰尘，改变线路间的阻抗，影响元件的功能和寿命。2.因电场或电流破坏元件绝缘层和导体，使元件不能工作（完