無電鍍鈷合金在電子元件製作上之應用论文.pdfVIP

2005年上海市电镀与表面精饰学术年会论文集 焦t镀钴合金在鼋子元件裂作上之庶用 斡雯琪． 葛其超． 王袜套 (台滢新竹市清荤大犟化工系) 摘 要： 本文所探取的燕鼋镀法，不需先缝遇钯的活化，即可直接使钴合金沉横在铜面上。亚以埸袋射捕描式鼋子 颢微镜觏察比较钯活化及各穗前虎理绦件封合金沉横的影譬，鼗现钯存在舍同畴吸附在介鼋屠和铜面上，使沉横送择 性燮低。此外，基材罩以硫酸清洗，不瀚其漉度高低。皆燕法使镀屠具有良好的覆莶率。然而，基材若先以乙醇再缌 硫酸清洗，则可得到覆盖率鞍佳的镀眉。 阴键嗣： 氯鼋镀； 覆堇眉 The ofElectrolessCo-basedtothe ofElectronicDevices Application Alloys Fabrication W．C．Hsu，C．C．Wan，Y．Y．Wang ofChemical (Department Engineering，NationalHsing～Hua Abstract,Thisstudyisaboutanelectrolessmethodwhichcan cobalt—basedonthesubstrates deposit alloys withoutactivationwithPd．The ofthe filmwasobservedwithFESEM．The directly morphologydeposition Pdactivationwas withtheself—initiationisobservedthatduetoPd on compared process．It absorption tothesubstrates theILD(InterlevelDielectric)，theselectivitytocopperdecreases．Thepretreatment alsoinfluencesthecharacteristicsofthe films theconcentrationofsulfuric depositionlargely．Whether to thesubstrate acidis orlow，a11resultsshowsome sulfuricacid，torinse high drawbacks．However，prior ethanolrendersa filmwith by deposition highcoverage． electroless Keywords： depositiomcappinglayer 矽”1(Siliconnitride)是现在普遍使用的覆莶眉材料， 1前言 然而由於其介鼋常敷相凿高，舍尊致鼋容增加。 由於稹髓鼋路的微型化，金属逵综的尺寸不断缩溅， 以钻及镍金属稳主的二、三元合金被庚泛提出臆用於 原本使用的鲳金属，舍因此引钕鼋容延逗效虑(RCdelay) 阻障或覆盖眉。由於阻障屠须具借防止金属徒晶界掳散的