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CCD 与CMOS 影像感光元件结构透视与分析 关键词： CCD , CMOS , 感光元件 , 影像 CCD 和CMOS 感光元件的区别Mr.OH!在第二讲中概略地介绍了CCD 与CMOS，但对于大多数的同学来说， 看得到的却是一颗颗已经整合好的晶片组合！内部详细的结构，以及到底是如何运作产生我们看到的 一幅幅数位照片，且我们撇开复杂的技术文字，透过图片比较，来看这两种不同类型，作用却又相同 的影像感光元件. OlympusE1CCD 感光套件（包含超音波除尘器）放大器位置和数量比较CCD 和CMOS 的结构，放大器的 位置和数量是最大的不同之处，Mr.OH!会在下一讲CCD 感光元件工作原理（上），提及完整的感光元 件作业流程。此讲中，Mr.OH!简单地解释：CCD 每曝光一次，自快门关闭或是内部时脉自动断线（电 子快门）后，即进行画素转移处理，将每一行中每一个画素（pixel）的电荷信号依序传入『缓冲器（电 荷储存器）』中，由底端的线路导引输出至CCD 旁的放大器进行放大，再串联ADC （类比数位资料转 换器）输出；相对地，CMOS 的设计中每个画素旁就直接连着『放大器』，光电讯号可直接放大再经由 BUS 通路移动至ADC 中转换成数位资料。CCD 与CMOS 的比较 由于构造上的基本差异，我们可以表列出两者在性能上的表现之不同。CCD 的特色在于充分保 持信号在传输时不失真（专属通道设计），透过每一个画素集合至单一放大器上再做统一处理，可以 保持资料的完整性；CMOS 的制程较简单，没有专属通道的设计，因此必须先行放大再整合各个画素的 资料。 CCD 与CMOS 电路结构之完整比较（摘录自SHARP 月刊）差异分析整体来说，CCD 与CMOS 两种设计的应 用，反应在成像效果上，形成包括ISO 感光度、制造成本、解析度、杂讯与耗电量等，不同类型的差 异：ISO 感光度差异：由于CMOS 每个画素包含了放大器与A/D 转换电路，过多的额外设备压缩单一画 素的感光区域的表面积，因此在相同画素下，同样大小之感光器尺寸，CMOS 的感光度会低于CCD。 成 本差异：CMOS 应用半导体工业常用的MOS 制程，可以一次整合全部周边设施于单晶片中，节省加工晶 片所需负担的成本和良率的损失；相对地CCD 采用电荷传递的方式输出资讯，必须另辟传输通道，如 果通道中有一个画素故障（Fail），就会导致一整排的讯号壅塞，无法传递，因此CCD 的良率比CMOS 低，加上另辟传输通道和外加ADC 等周边，CCD 的制造成本相对高于CMOS。 解析度差异：在第一点 『感光度差异』中，由于CMOS 每个画素的结构比CCD 复杂，其感光开口不及CCD 大，相对比较相同尺 寸的CCD 与CMOS 感光器时，CCD 感光器的解析度通常会优于CMOS。不过，如果跳脱尺寸限制，目前业 界的CMOS 感光原件已经可达到1400 万画素/全片幅的设计，CMOS 技术在量率上的优势可以克服大尺 寸感光原件制造上的困难，特别是全片幅24mm-by-36mm 这样的大小。 杂讯差异：由于CMOS 每个感 光二极体旁都搭配一个ADC 放大器，如果以百万画素计，那么就需要百万个以上的ADC 放大器，虽然 是统一制造下的产品，但是每个放大器或多或少都有些微的差异存在，很难达到放大同步的效果，对 比单一个放大器的CCD，CMOS 最终计算出的杂讯就比较多。 耗电量差异：CMOS 的影像电荷驱动方式 为主动式，感光二极体所产生的电荷会直接由旁边的电晶体做放大输出；但CCD 却为被动式，必须外 加电压让每个画素中的电荷移动至传输通道。而这外加电压通常需要12 伏特（V）以上的水平，因此 CCD 还必须要有更精密的电源线路设计和耐压强度，高驱动电压使CCD 的电量远高于CMOS。其他差异： IPA （IndiviualPixelAddressing）常被使用在数位变焦放大之中，CMOS 必须仰赖x,y 画面定位放大 处理，否则由于个别画素放大器之误差，容易产生画面不平整的问题。制造机具上，CCD 必须特别订 制的机台才能制造，也因此生产高画素的CCD 元件产生不出日本和美国，CMOS 的生产一般记忆体/处 理器机台即可担负。 FillFactorCMOS 开创新未来CMOS 完整3D 透视与平面结构，位于最上层的为MicroLens 微型聚光镜片 尽管CCD 在影像品质等各方面均优于CMOS，但不可否认的CMOS 具有低成本、低耗电以及高整合度的 特性。由于数位影像的需求热烈，CMOS 的低成本和稳定供货，成为厂商的最爱，也因此其制造技术不 断地改良更新，使得CCD 与CMO