晶体缺陷1.pptVIP

离子晶体中的点缺陷（空位和间隙原子）都带有一定电荷，没有外场时做无规则的布朗运动，不产生宏观电流。 当有外电场时，外电场对它们携带电荷的作用，使布朗运动产生一定的倾向，从而引起宏观电流。 通过分析可以给出离子性导电的欧姆定律表达式。 （见黄昆书p555） 显然和金属不同，温度越高，电导率越高。 另外还可以得出迁移率μ与扩散系数D之间的爱因斯坦关系 离子导电性研究是探讨晶格缺陷的重要工具 对于含有已知量二价金属离子的卤化碱和卤化银进行的研究工作表明：在不很高的温度下，离子电导率正比于二价掺杂的量。这并不是由于二价离子本征的活动性高，因为在阴极上淀积出来的主要是单价金属离子。伴随着二价离子而引入的晶格空位增进了扩散。晶格空位向某一方向扩散相当于原子向相反的方向扩散。 * 晶体结构 晶体结合 晶格振动 晶体缺陷 金属自由电子论 固体能带论 针对晶态物质的传统固体物理内容 晶体缺陷对固体的一些重要性质往往起着决定性的作用，但是“晶体缺陷”在传统固体物理内容中占据相对独立的位置。 其他???? 第四章 晶体缺陷 4.1 定义和分类 4.2 点缺陷及其运动 热平衡状态下的点缺陷 原子扩散理论 离子晶体中的点缺陷和离子性导电 4.3 位错 4.4 缺陷的实验观测 参考：黄昆书12章；Kittel 书8版 20，21章 Henderson 《晶体缺陷》；Busch 书4章 4.1 定义和分类： 所有与晶体结构严格三维周期排列的偏离都可以被认为是晶体缺陷或不完整性，实际晶体都是有缺陷的不完整晶体。 按照尺度、维度可以将晶体缺陷划分为： 点缺陷（零维）：空位；间隙原子；杂质；错位…… 线缺陷（一维）：刃型位错，螺旋位错 面缺陷（二维）：小角晶界，堆垛层错 体缺陷（三维）：多晶晶粒间界，空洞，包藏物，异相物等 几种点缺陷示意图 本征缺陷（热缺陷）： 空位式缺陷，又称肖特基（Schottky） 缺陷 填隙式缺陷，又称弗仑克尔（Frenkel） 缺陷 外来缺陷： 替位式原子（如同位素原子、杂质和掺杂原子等) 间隙式原子（如杂质和掺杂原子） 无序缺陷： 换位式缺陷（不同原子的偶尔换位） 离子晶体中的肖特基缺陷 不含缺陷的NaCl晶体 包含一对肖特基缺陷的NaCl晶体 离子晶体中的弗仑克尔缺陷 包含两个Na+离子填隙弗仑克尔缺陷的NaCl晶体 掺入二价元素后，在卤化碱晶体中出现的空位 离子晶体中的替代式空位 刃型位错示意图 线缺陷 刃型位错的结构。晶体中的形变可以看作是由于在y轴的下半部分插入了一片额外的原子面所产生。这个原子面的插入使下半部分晶体中的原子受到挤压，而使上半部分中的原子受到拉伸。 螺旋位错示意图 面缺陷 晶体的表面实际上是最常见的面缺陷。 层错是指晶体原子层的堆积发生错误，如在面心立方晶体（fcc）中，原子层的堆积次序为：···ABCABC ··· ，如出现 ···ABCABABC ··· ，就说发生了层错。 体缺陷 SEM下金属中的空洞。 当空洞的形成源于晶体生长过程中气体的聚集时，该类空洞常称之为气孔。 其他体缺陷还包括多晶材料中的晶粒间界，晶体中的包藏物、异相物等。 缺陷的来源： 晶体在生成过程中或在合金化过程中携带的或有意掺入的杂质或生成的缺陷； 晶体在加工和使用过程中产生的缺陷（主要指位错）； 受电子束离子束强辐照后产生的缺陷； 原子自身热运动所产生的缺陷，后者即使在没有杂质的理想配比的晶体中也是存在的，所以又称本征缺陷。 注意：除了上述缺陷外，还有许多元激发，如反映晶格振动的声子等，有人也把它们归入晶格不完整性范畴，不过这里我们只限于讨论上述（静止）缺陷问题。关于各种元激发的讨论将分散在各章中进行。 研究缺陷的意义： 按严格周期性模型给出的理论结果和实际晶体的测量结果之间总会存在一些差别，对实际晶体中存在的缺陷分析将帮助我们解释产生这些差异的原因。 另一方面，晶体中的缺陷对许多重要的晶体性质可能会起着支配作用 ，有时侯基质晶体反而仅仅只需要作为缺陷的载体看待即可，研究缺陷的性质和运动才是解释这些性质的关键。比如：半导体的导电率；许多晶体的颜色和光学性质；晶体中的原子扩散，力学性质和范性形变等。特别是金属和合金的强度和范性形变理论就是建立在对位错了解的基础上，它已是固体研究的一个独立学科了。 理论意义 实际意义 4.2 点缺陷及其运动 热平衡状态下的点缺陷 (黄昆书12.3节) Schottky 缺陷浓度 Frenkel 缺陷浓度 式中N为原子