PECVD SiO2-SiNX叠层钝化膜研究.pdfVIP

第31卷第12期 太阳能学报 V01．31．No．12 SOLARIS 2010年12月 ACTAENERGIAESINICA Dec．．2010 PECVD Si02-SiNx叠层钝化膜的研究 韩培育1’2，季静佳2，一，王振交2，李果华1’3 摘要：首先使用正交设计法对SiN，和Si02膜的PECVD(等离子体增强化学气相沉积)特性进行了研究，分别得到 了两种膜的最佳沉积条件。然后使用PECVD在P型多晶硅片发射极上沉积了Si02．SiN，叠层钝化膜，并与SiN，单 层钝化膜进行比较。通过测试硅片在退火前后少子寿命的变化，考察了两种钝化膜对太阳电池发射极的钝化效 果，结果表明SiOz．SiN：叠层膜具有更好的钝化效果。利用反射率测试仪测试了两种膜的反射率，其反射率陆线基 本相同。最后，测量了采用该叠层膜制作的太阳电池的量子效率和电性能，其短路电流和开路电压均比采用SiN。 单层膜的电池要好，转换效率提高了0．25％。 关键词：多晶硅；太阳电池；PECVD；氮化硅；二氧化硅；减反射；钝化 中图分类号：TM914．4文献标识码：A 高其热稳定性，增强钝化效果。 O 引 言 1 实 验 多晶硅中存在大量的晶界和缺陷，在太阳电池 中容易形成复合中心，从而减小少数载流子有效寿 1．1设备与原理 命，而钝化工艺可以饱和悬挂键和降低表面态，能够 有效减少晶体缺陷对少子寿命的影响。 率为40kHz。 目前对于晶体硅太阳电池的表面钝化，主要有 SiN。膜制备原理： 两种方法：一种是高温下在硅片表面热生长一层 RF Powtl|r Si02薄膜，由于二氧化硅一硅界面处Si．O价键匹配， 界面态可以降得很低，但由于热生长二氧化硅是一 Si02膜制备原理： 个高温过程，通常钝化的温度在900。C以上，而高温 + 2———’Si02+2N2+H2 易使质量较差的多晶硅产生新的缺陷，导致硅片体 首先根据PECVD的沉积原理[5]，使用正交设计 少数载流子寿命下降，并引起衬底掺杂浓度的再分 法对SiN，膜和Si02膜的沉积特性进行研究，分别得 布。另外一种钝化方法是低温下在硅片表面用化学 出了两种膜的最佳沉积条件，如表l所示。 气相沉积法沉积一层SiN，：H薄膜，SiN，：H膜同时 表1 SiTqx和SiQ膜的最佳PF_LVD沉积条件 具有减反和钝化的作用，并且该技术可以避免上述 Tablel Thebest conditions PECVD deposition 高温工艺缺点，使电池工艺简单、成本下降，但是 of and films SiNj Si02 SiN，：H膜在退火过程中可能