硅片加工损伤机理压痕、划痕研究.pdfVIP

R要拦筮删烛 硅片加工损伤机理的压痕、划痕研究 Onthe lndentationandScratch SiliConWa受rMachined Study Mecha伍sm Damage 郜伟。张银霞(郑州大学机械工程学院，河南郑州450001) ofMech柚ical 450001) a-■．啦啊r■-(schoolEn咖ecrillgofzhengzllouuIlivc商ty。H∞蛆zhengzllou 摘要：系统地分析了硅片的压痕，划痕的损伤机理，指出单晶硅压痕、划痕的损伤形式主要有微裂纹、位 镨、面缺陷、非晶及多晶相变等，材料的塑性去除和单晶硅的金属相变(Si—lI相)有关。该研究对分析单晶 硅片嘲械加工过程中材料的损伤机理有重要的指导意义。 关键词：硅片；损伤机理；压痕；划瘦 中圈分类号：TN305 文献标识码：B 文章编号：l003～0107(2008)()8一0044一04 ^咖c七The m∞hani8m}ndu∞dindema“onandscratchmg}ssyst斜nal；caI|y fe8uIt8ehawth猷甘*m啪 dama口e by anaI蛳：ed．The fom憾lnducedIndentation锄d and damaOe by 8cf舳inga阳m；crocr80k8。di8Joc甜Ione，plan甜defects．am。rphou8po|ycry$憧IHne relaIedwmthemetaI of pI谊8e仃副饽fom怕tion雠．．Them甜甜嘲rdn翻，edduct№mode，e themalocry8taIIh静 by pha∞tran8fDmlaⅡon r船earchhasan the 8moon，The impOr协nt8}gnifican∞forundef8t邮dinadamagemechanismInducedbymechanicaI machining． 鬈●—w岫SiIjconwafers；O甜豫10em9棚ism；Ind斟1t8tIon；ScfgIching a嚣nur叫，·ETN3D5 ． Do叫m佩∞d靠B^州■●●啦帕03一0107l绷瑚—)044-04 1引言 痕的损伤机理，从而为研究硅片的损伤机理及实现硅片的塑 集成电路(Ic)是现代信息产业和信息社会的基础，是性加工提供指导，有助于最终实现硅片的无损伤超光滑表面 推动国民经济和社会信息化发展最主要的高新技术之一，也 的高效率加工。 是改造和提升传统产业的核心技术。Ic所用的材料主要是