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第29卷第5期 半 导 体 学 报 V01．29No．5
OFSEMICONDUCTORS
2008年5月 JOURNAL May，2008
Wafers+
andSurfaceMicrostructurein300mmCZSilicon
Quanlinl2”，He Zhou
Feng Ziqian91”，ChangQin91”，andQigan91’2
GeneralResearchInstitutionNon-Ferrous 100088，China)
(1 for Metals，Beifing
Grinm Materials 100088，China)
(2 SemiconductorCo．，Ltd，Beijing
ondenudedzoneand inCzochralski
Abstract：Theeffectof thermal oxygenprecipitates
rapid annealing(RTA)ambient
this anda mixtureareusedasRTAambient．Itisdemonstratedthata
(CZ)siliconwafersisstudiedin paper．N2N2／NH3
in ambient，whilea lowerdensi—
of andthindenudedzoneareobtainedN2／NI-h relatively
highdensityoxygenprecir}itates
in ambient．AstheRTAdurationtimesincreased，the
tvof andthickerdenudedzoneareobservedN2
oxygenprecipitates
increasedandthedenudedzone
oxygenprecipitatedensity depthdecreased．X-rayphotoelectron
asurface reactionthe ambient
andatomicforce showthattherewas N2／NHs
microscope(AFM)results nitriding during
RTA can thedifferenteffectofRTAambient．
process。whichexplain
CZsilicon
words：300mmwafer；denudedzone；intrinsicgettering；RTA；XPS；AFM
Key
PACC：7280C；
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