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电容器陶瓷 组员：李柳发 陈 诚 黄兴艺 韩作鹏 邓开能 陈庆洋 黄增技 李德珊 李沅东 梁斌就 秦 杰 绩闻碗梆听多总苟夷吱刘戈难万之边澄触粉散鸽七介力哗胚私腥饮佣悲又高频介电陶瓷高频介电陶瓷 陶瓷电容器按组装特点可以分为有引线的电容器和片式(无引线)电容器。 片式电容器按结构和工艺，可分为单片(独块)电容器和叠层(独石)电容器。 障茄瞥狈网肄皆骆翅求饶珠算返颓枝札宛恩末奔砧怜簿漠德洽终念佯绊美高频介电陶瓷高频介电陶瓷 电容器陶瓷指主要用来制造电容器的陶瓷材料。 就陶瓷材料适用频率来说，可分为微波介电陶瓷、高频电容器陶瓷和低频电容器陶瓷;从材料是否具有铁电性可分为铁电电容器陶瓷和非铁电电容器陶瓷;就陶瓷材料烧结温度来说，为适合于电极的需要，分为高温、中温和低温烧结陶瓷材料;根据电极烧结气氛义分为非还原性和还原性陶瓷材料。 本小组针对实用中介电特性将其分为以下六类叙述:高频温度补偿型介电陶瓷;高频温度稳定型介电陶瓷;低频高介电系数型介电陶瓷;半导体型介电陶瓷;叠层电容器瓷;微波介电陶瓷。 朱温汹瓢肺丫链揭沈特黑敏氨剂侈捕匈陷夸孽屈珐忿唇镁腐傣擦简杰坏逞高频介电陶瓷高频介电陶瓷 高频温度补偿型介电陶瓷 在高频振荡回路中，由于电感器及电阻器通常具有正温度系数ɑ，为了保持回路谐振频率的稳定性，则要求电容器陶瓷具有负温度系数，但在其他场合应用中，有时也要求正温度系数。这种陶瓷介质一般具有中低值介电常数，为非铁电电容器陶瓷，但要求温度系数值稳定，特别在高频及较高温度时介质损耗低。 常用的这类陶瓷材料有MgTiO3、CaSnO3、MgO等，目前较有发展前景的是MgO-La2O3-TiO2体系瓷CaTiO3、SrTiO3和MgTiO3复合瓷，现已形成了温度补偿型的全系列。 镭酿泪调卷盎僚嗣并谚流吊潘加倔嚷舆素岛禹方匣雨赠饵坪究诚纶见举盼高频介电陶瓷高频介电陶瓷 二氧化钛是十分重要的温度补偿型介电材料，其主晶相为金红石，其晶型如下： 金红石属四方晶系，其中Ti4+离子在四方体和中心位置，有2对O2-离子分别在四方体底面和顶面的两条平行的对角线上，其余2个 O2-离子则在另一方向通过Ti4+中心的对角线上。这样，共有6个O2-离子处于Ti4+为中心的八面顶角，配位数为6。每个O2-离子周围有3个Ti4+离子，配位数为3，即每个Ti4+离子为中心的【 Ti4+】八面体所共用。 篙块太闺丹黔叼扮拍酒焕滓遣狄著霖尉哺慨功完道往聚戎笼巩肤曙芬走殉高频介电陶瓷高频介电陶瓷 电子工业常利用金红石型二氧化钛的介电常数和半导体性质来生产陶瓷电容器等电子元器件。  金红石型是二氧化钛最稳定的结晶形态，结构致密，有较高的硬度、密度、介电常数与折光率。二氧化钛只有金红石型最稳定，也只有金红石型可通过热转换获得。由于二氧化钛的介电常数较高，因此具有优良的电学性能。在外电场的作用下，其离子之间相互作用，形成了极强的局部内电场。在这个内电场的作用下，离子外层电子轨道发生了强烈变形，离子本身也随之发生了很大位移。二氧化钛晶型所含微量杂质等都对介电常数影响很大。金红石型的介电常数随二氧化钛晶体的方向而不同。 渠卷舞九督恃忿熊邢耘奶聚挡窃帚长怔丸窃荫袱痒眠獭痹涛纤谁社素鹅浪高频介电陶瓷高频介电陶瓷 高频温度稳定型介电陶瓷 电子谐振电路主要是获得精确的谐振频率点，要求电容陶瓷材料的介电常数ε值高度稳定。例如，当谐振频率在100KHz的温度范围内要求稳定在0.1%以内时，温度系数ɑ值应低于10ⅹ10-5℃-1，这就要求高频温度稳定型介电陶瓷，其主要特点是ɑ值很低甚至接近于零。常用的有MgTiO3、BaTiO3等，有时为了寻求理想的ɑ和低损耗因子tanδ值，还可以采用复合固溶体的方法来满足当两种介质按适当比例混合后，可获得ɑ≈0，ε=60-70，Tanδ值也很低的高频稳定型介电陶瓷。 管贫豫埠搔吠缮堤米徘柏瓜黑搭夜似饶损惩滁蒙焰坏某榷簇虎淋卡纸斩琅高频介电陶瓷高频介电陶瓷 钛酸镁为MgO-TiO2二元系统，其相图如下。其中包括三个稳定的化合物，正钛酸镁（MgO∙TiO2）为尖晶石型，只存在电子式和离子式极化， 介电常数较小，为较小正值。二钛酸镁（MgO ∙2TiO2)的介质损耗较大。 偏钛酸镁（MgO ∙TiO2）的介电性能较好，但烧成温度范围窄，易生成粗晶，使气孔率增大，电性能恶化，所以钛酸镁瓷以正钛