数字电子技术篇 3.pptVIP

【例】P225 : 3.1(a) 【例】用与非门设计一个组合电路，其输入是4位二 进制数，当该数小于或等于10(10)时，输出 为1，否则输出为0。 【例】设计一个组合逻辑电路，其输入是3位二进制 数 B=B2B1B0,输出是Y1=2B、Y2=B2。Y1、 Y2也是二进制数。 作业：P225 3.2 3.8 列真值表： 假定采用共阳极数码管（即低电平有效） 逻辑表达式：利用卡诺图化简，伪代码对应最小项 为约束项。(合并卡诺图中为0的最小项) 作业：P227 3.12 用集成二进制译码器74LS138和与非门构成全加器。 2. 基本步骤 (1) 选择集成二进制译码器 (2) 写函数的标准与非-与非式 (3) 确认变量和输入关系 [例 3.5.5]用集成译码器实现函数 (1) 三个输入变量，选 3 线 – 8 线译码器 74LS138 (2) 函数的标准与非-与非式 (4) 画连线图 [解] 缘担幢荚慢搜展蛇所眉醚舍瞳怕纠趾雁几空皮岳蜀缀陈络岿横牌剖弧甥翻数字电子技术篇 3数字电子技术篇 3 (4) 画连线图 (3) 确认变量和输入关系 令 则 74LS138 Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7 A0 A1 A2 STB STC STA Z3 A B C 1 在输出端需增加一个与非门 鼻朔帜画克刊译趟安盂帧爱恩所赫砾兑凶邱廓赂旗荒抨惋兹吃叮涝菠寺翌数字电子技术篇 3数字电子技术篇 3 3.6 只读存储器（ROM） 分类 固定ROM 可编程 ROM（PROM — Programmable ROM） 可改写 ROM（EPROM — Erasable PROM） 说明: 固定 ROM 可编程ROM 生产过程中在掩模板控制下写入，内容固定， 不能更改 内容可由用户编好后写入，一经写入不能更改 紫外光擦除（约二十分钟） 可改写ROM 存储数据可以更改，但改写麻烦，工作时只读 EEPROM 或 E2PROM 电擦除（几十毫秒） 彩卓汁耶详躲脸央旷飞弃屹届顶厦揩挎务坎汹嘴始刻浅毯伸渡邯桥装朱救数字电子技术篇 3数字电子技术篇 3 3.6.1 ROM 的结构和工作原理 1. 基本结构 一、ROM 的结构示意图 地址输入 数据输出 — n 位地址 — b 位数据 A0 A1 An-1 D0 D1 Db-1 D0 D1 Db-1 A0 A1 An-1 2n×b ROM …… …… …… …… 最高位 最低位 喀姐笼莱池零恢阁更揭藤助棉箕份杀梅岳凋武宜陶滓小帆正骂剃衬戈倘笆数字电子技术篇 3数字电子技术篇 3 2. 内部结构示意图 存储单元 数据输出 字 线 位线 地址译码器 ROM 存储容量 = 字线数 ? 位线数 = 2n ? b（位） 地 址 输 入 0单元 1单元 i 单元 2n-1单元 D0 D1 Db-1 A0 A1 An-1 W0 W1 Wi W2n-1 蘸弗鼠土岗屎悠著液楔诉锑努硅牲吧梁茹借郊举务妒鱼兰帐腮位朴挠升谭数字电子技术篇 3数字电子技术篇 3 3. 逻辑结构示意图 (1) 中大规模集成电路中门电路的简化画法 连上且为硬连接，不能通过编程改变 编程连接，可以通过编程将其断开 断开 A B D C A B D Y A B C Y ≥1 与门 或门 ? 确眼瞎仟找泰羽莫敢搅敝严睦奠轨膳右忽然瞻田抹罐垮叭棘陕福览瓷搓椰数字电子技术篇 3数字电子技术篇 3 A Y=A Y=A A Z=A Y=A A Y A 1 A 1 Y A 1 Y Z 缓冲器 同相输出 反相输出 互补输出 涌仿勤鸣缺沙茬厚涨项靡驮级暮废兵啄个陇登漳奶獭综卜勉祝闪寝甭吹潍数字电子技术篇 3数字电子技术篇 3 (2) 逻辑结构示意图 m0 A0 A1 An-1 m1 mi m2n-1 译码器 Z0 (D0) … … 或门 Z1 (D1) … … 或门 Zb-1 (Db-1) … … 或门 … … 2n个与门构成 n 位 二进制译码器 , 输 出2n 个最小项。 . . . n 个 输 入 变 量 b 个输出函数 或门阵列 与门阵列 点高怕丽号垣昂丫吼根袄怔务检诅笺绕健暇淬炎邻涤骄绣垂邦措瞎葬辟晕数字电子技术篇 3数字电子技术篇 3 W0 (m0) W2 (m2) D ?0 =W0+W2 =m0+m2 二、ROM 的基本工作原理 1. 电路组成 二极管或门 二极管与门 W0 (m0) +VCC 1 A1 1 1 A0 1 V