TeTiS2纳米电缆的合成、表征和热电性能研究.pdfVIP

The synthesis, characterization and thermoelectric properties of Te/TiS2 nanocables A Dissertation Submitted to the Graduate School of Henan University in Partial Fulfillment of the Requirements for the Degree of Master of Science By Dui Jingna Supervisor: Prof. Zhou ShaoMin Date May, 2015 摘要 热电材料是一种利用固体内部载流子的迁移实现热能和电能之间直接转换的功能 ZT 材料，在能源、环境等领域具有广泛的应用前景。热电器件的性能是通过热电优值（ ） Z 进行量化的，其中 是材料热电性能的测度，T 是绝对温度。无量纲的热电优值可以确 定某种热电材料的性能，ZT = (S2 σ/)T ，其中，S 、σ、k 和 T 分别为塞贝克系数、电 导率、热导率和绝对温度。基于热电材料纳米结构化能够使热导率比电导率降低得更加 明显，从而能够显著提高材料的热电优值。在各种热电材料中，Te 及其化合物是一种在 热电领域研究较早、发展较成熟的热电材料，成为人们研究的热点。同时，发展新型结 构热电材料对解决环境污染与能源短缺问题具有重要的科学意义和实用价值。纳米电缆 结构热电材料由于不仅具有一维纳米结构特征，而且沿径向方向内芯和外壳的不同相之 间存在核壳界面，具有独特的性能、丰富的科学内涵并有望获得高的热电优值。因此， 本文以Te、TiS2 及其复合材料为研究对象，通过对Te、TiS2 及其复合材料的控制生长， 成功合成了Te 纳米线、TiS2 纳米线和Te/TiS2 纳米电缆，并对其生长机理及热电性能进 行了系统的研究。主要研究结果如下： 1. 运用一种简单的溶剂热法成功合成了Te 纳米线。通过四电极法把合成的单根Te 纳米线搭到电极上，并在4~266 K 的温度范围内对其热电参数进行了测试表征。结果表 明，所合成的Te 纳米线，其电导率值在200 K 到266 K 之间几乎不受温度的影响，最 5 -1 -1 -1 -1 高电导率约为5.0  10  m 。其最低热导率值约为0.50 Wm K ，是相当低的。最高 -6 -1 塞贝克系数约为-121×10 VK 。 2. 为了能够成功制备出 Te/TiS2 纳米电缆，在上述研究成果的基础上，控制合成了 TiS2 纳米线并研究了其热电性能。运用了一种简单的物理气相沉积法 (PVD)成功制备了 TiS2 纳米线。结果表明，我们合成的TiS2 纳米线，其电导率值比Te 纳米线约低两个数 量级。最低热导率约为0.87 Wm-1K-1，远低于传统TiS2 块体材料的热导率(6.8 Wm-1K-1) 。 3. 最后，在上述1 制备Te 纳米线的基础上，以其为原位模板成功制备出了Te/TiS2 核壳异质结构纳米电缆，并致力于其可控合成和传输特性。以扫描电子显微镜和透射电 子显微镜为手段，探索了其形貌和结构特性，并以能量色散谱为手段，确定了其组分。 结果表明，直径为60 nm 的Te/TiS2 核壳异质结构纳米电缆的热电优值在212 K 处取