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第七章 金属和半导体的接触 第八章 半导体表面与MIS结构 8.1表面态概念 8.1表面态概念 8.2 表面电场效应 8.2 表面电场效应 8.2 表面电场效应 * 7.1 金属?半导体接触的接触势垒 7.2 金属?半导体接触的整流效应 7.3 欧姆接触 当金属与半导体接触时，有二种物理接触效果： 整流接触——在半导体表面形成了一个接触势垒 (阻挡 层)，和PN结类似，有整流作用。 ——肖特基接触(势垒) ； 欧姆接触——形成没有整流作用的反阻挡层（高电导区）。 等效为一个小电阻（低阻率）。 M N 半导体基体 金属 7.1 金属?半导体接触的接触势垒 周围外部空间 金属的功函数 金属中电子的最高能量 金属体内 金属的功函数（也称逸出功——逃离能） 真空中静止电子的能量 金属功函数表示一个起始能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到真空中所需要的最小能量。功函数的大小标志着电子在金属中束缚的强弱，越大，电子越不容易离开金属。 7.1 金属?半导体接触的接触势垒 半导体的功函数 若 N型半导体同一金属紧密接触， WmWs，即 EFm EFN 半导体中电子能量较