新型全CMOS片上温度传感器设计3.PDFVIP

第 27 卷 　第 3 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 27 　No . 3 2006 年 3 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS Mar . ,2006 新型全 CMOS 片上温度传感器设计 林赛华 　杨华中 (清华大学电子工程系 , 北京 　100084) 摘要 : 利用阈值电压随温度的线性变化关系 ,设计并改进了一种基于弛张振荡器的全 CMO S 片上数字温度传感 器 ,提出了一种新型的基于施密特触发器的全 CMO S 片上数字温度传感器 ,用于集成电路的热测试和温度保护. 仿 真结果表明 ,文中实现的两种数字温度传感器精度均在 1 ℃以内,而且基于施密特触发器的温度传感器仅使用了 19 个晶体管 ,与多数文献的结果相比,晶体管数 目至少节省了269 %. 关键词 : 温度传感器 ; 阈值电压 ; 热可测试性 EEACC : 1265A ; 2560 ; 2570D 中图分类号 : TN 47 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2006) 03055 105 1 　引言 2 　MOS 管的阈值电压温度特性 随着芯片集成度的迅速提高 , 芯片热效应的影 对于分别工作在饱和 区和线性 区的长沟道 响重新被提上了研究日程. 为了避免局部温度过高 nMO S 晶体管来说 ,忽略其次级效应 ,它的漏电流可 对芯片造成损害 , 需要在芯片内部集成温度传感器 以用如下两个公式来表示 : 以实时检测温度的变化. 较为简单而常用的一种方 1 W 2 ID = μC ( V - V ) ( 1) n ox GS TN 案是使用热敏电阻作为温度传感器 , 然而由于其精 2 L 2 2 度有限, 因此研究者又开发了各种面积小 、功耗低的 I = μC W ( V GS - V TN ) VDS - VDS D n ox 温度传感器[ 1～5 ] . 这些方法各有优缺点. 如文献[ 1 ] L 2 方法精度较高 , 误差小于 3 ℃, 但使用的振荡器方案 (2) μ ( 占用了较大的面积; 文献[ 2 ] 中的温度传感器耗费较 其中　 n 为 n M OS 晶体管迁移率 对于 p M OS 晶