数字电子技术第七章习题课.pptVIP

《数字电子技术基础》习题课教学课件 * 电子与信息工程学院 电子教研室 * 电子与信息工程学院 电子信息工程教研室 辽宁工业大学 第7章、半导体存储器 一、本章内容： 本章首先介绍存储器的结构、分类、基本工作原理和每种存储器的特点，然后讲述存储器扩展存储容量的连接方法，最后分析存储器设计组合逻辑电路的原理和方法。 二、本章要求： 1．了解存储器的结构、基本工作原理、分类和每种存储器的特点。 2．掌握存储器扩展的方法。 3．掌握用存储器设计组合电路的原理和方法的分类。 1.只读存储器（ROM）和随机存储器（RAM）分类 只读存储器中有掩模ROM、可编程ROM（PROM）、可擦除可编程ROM（EPROM）及电可擦除可编程ROM（EPROM）等几种类型。 随机存储器RAM包括静态RAM（ SRAM）和动态RAM(DRAM) 两种类型。 三、主要知识点 2.ROM和RAM的根本区别 无论是掩模ROM还是可编程ROM都是在存储器使用之前将数据写入的，只是写入方式不同而已，而正常工作时存储器中的数据只能读出而不能写入。可擦除可编程ROM虽然可以多次写入、擦除数据，也都是设计人员在芯片正常使用之前完成的。RAM中的静态和动态是相对而言的，由于内部结构和工作原理不同，DRAM工作时由于栅极电荷难以保持，必须刷新，但不管是SRAM还是DRAM，其中的数据都是可以随时写入随时读出的。 第7章、半导体存储器 四、课后习题 题7.2 某台计算机的内存储器设置有32位的地址线，16位并行数据输入/输出端，试计算它的最大存储量是多少？ 解 最大存储量为232×16=210×210×210×26=1K×1K×1K×26=64G 题7.5 试用4片2114（1024×4位的RAM）和3线-8线译码器74HC138（见图4.3.8）组成4096×4位的RAM。 第7章、半导体存储器 解： 第7章、半导体存储器 题7.6. 试用16片2114（1024×4位的RAM）和3线-8线译码器74HC138（见图4.3.8）接成一个8K×8位的RAM。 第7章、半导体存储器 题7.8. 图P7.8是一个16×4位的ROM，A3、、A2、A1、A0为地址输入，D3、D2、D1、D 0是数据输出，若将D3、D2、D1、D0视为A3、、A2、A1、A0的逻辑函数，试写出D3、D2、D1、D0的逻辑函数式。 解 第7章、半导体存储器 题7.10 用ROM设计一个组合逻辑电路，用来产生下列一组逻辑函数列出ROM应有的数据表，画出存储矩阵的点阵图。 解：将函数化为最小项之和形成后得到 第7章、半导体存储器 ROM的存储矩阵如右图所示。 第7章、半导体存储器 题7.10 用一片256×8位的RAM产生如下一组组合逻辑函数，列出RAM的数据表，画出电路的连接图，标明各输入变量与输出函数的接线端。 解： 将函数化为最小项之和后得到： 第7章、半导体存储器 * 电子与信息工程学院 电子教研室