第05章 半导体器件概要1.pptVIP

5.1.1 物质的分类及特点 (2) 热敏性。半导体的电阻率随温度变化很敏感，一般情况下(非重掺杂)，温度升高，电阻率下降。可制成热敏器件。 (3) 光敏性。受光照后，半导体的电阻率大为降低。依此特性可制成各种光电器件和太阳能电池等。 半导体的这些特殊性质是由其内在的矛盾和运动规律所决定的。 5.2.2 二极管的伏安特性 正向电压超过门槛电压Uon后为第二段，随着正向电压的增加，内电场大大削弱，有利于扩散，电流按指数曲线规律迅速增长。但正向电压在小范围内变化，电流变化很大。通常硅管压降为0.6～0.8V，锗管为0.2～0.3V。当环境温度变化时，在室温附近，温度每升高l℃，二极管的正向降压减小2～2.5mV。 5.3.4 三极管的主要参数 5.3.4.3 极限参数 (1) 集电极最大允许电流ICM。该参数表示当三极管的 值下降到其额定值2/3时所允许的最大集电极电流。当集电极电流超过该参数时，并不一定损坏管子，但 值下降太多可能使放大电路不能正常工作。 (2) 集电极—发射极反向击穿电压U(BR)CEO。当基极开路时，集电极—发射极之间的最大允许反向电压称为集电极—发射极反向击穿电压。集电极—发射极电压UCE超过该值时，三极管可能被击穿。 5.3.4 三极管的主要参数 (3)集电极最大允许耗散功率PCM。该参数决定了管子的温升极限。PCM值为 在三极管输出特性曲线上，PCM划定了放大电路正常工作时的安全区，如图5-21所示。如果管子工作在大功率放大状态，应加装散热装置。 图5-21 三极管安全工作区 5.4 场 效 应 管 场效应管(简称FET)是利用输入电压产生的电场效应来控制输出电流的，所以又称之为电压控制型器件。它工作时只有一种载流子(多数载流子)参与导电，故也叫单极型半导体三极管，用于区别上一节所讲的利用两种载流子导电的被称为双极型的半导体三极管。因为它具有很高的输入电阻，能满足高内阻信号源对放大电路的要求，所以是较理想的前置输入级器件。它还具有热稳定性好、功耗低、噪声低、制造工艺简单和便于集成等优点，因而得到了广泛的应用。 根据结构不同，场效应管可以分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET)或称MOS型场效应管。而MOS型场效应管，按照工作方式不同可以分为增强型和耗尽型两类。 根据场效应管制造工艺和材料的不同，又可分为N型沟道场效应管和P型沟道场效应管。 绝缘栅型场效应管的栅极与漏极、源极及沟道是绝缘的，输入电阻可高达以上。由于这种场效应管是由金属(Metal)、氧化物(Oxide)和半导体(Semiconductor)组成的，故称MOS管。 5.4.1 N沟道增强型绝缘栅型场效应管 5.4.1 N沟道增强型绝缘栅型场效应管 5.4.1.1 结构和符号 如图5-22所示是N沟道增强型MOS管的示意图。MOS管以一块掺杂浓度较低的P型硅片做衬底，在衬底上通过扩散工艺形成两个高掺杂的N型区，并引出两个极作为源极S和漏极D；在P型硅表面制作一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在二氧化硅表面再喷上一层金属铝，引出栅极G。这种场效应管栅极、源极及漏极之间都是绝缘的，所以称之为绝缘栅场效应管。 绝缘栅场效应管的图形符号如图5-22(b)、(c)所示，箭头方向表示沟道类型，箭头指向管内表示为N沟道MOS管，如图(b)所示，否则为P沟道MOS管，如图(c)所示。 5.4.1 N沟道增强型绝缘栅型场效应管 图5-22 增强型绝缘栅场效应管结构示意图和符号 5.4.1 N沟道增强型绝缘栅型场效应管 5.4.1.2 工作原理 如图5-23(a)所示是N沟道增强型MOS管的工作原理示意图，(b)是相应的电路图。工作时栅源之间加正向电源电压UGS，漏源之间加正向电源电压UDS，并且源极与衬底连接，衬底是电路中最低的电位点。 图5-23 Ｎ沟道增强型绝缘栅场效应管 5.4.1 N沟道增强型绝缘栅型场效应管 当UGS=0时，漏极与源极之间没有原始的导电沟道，漏极电流ID=0。这是因为当UGS=0时，漏极和衬底以及源极之间形成了两个反向串联的PN结，当UDS加正向电压时，漏极与衬底之间PN结反向偏置的缘故。 当UGS0时，栅极与衬底之间产生了一个垂直于半导体表面、由栅极G指向衬底的电场。这个电场的作用是排斥P型衬底中的空穴而吸引电子到表面层，当UGS增大到一定程度时，绝缘体和P型衬底的交界面附近积累了较多的电子，形成了N型薄层，称为N型反型层。反型层使漏极与源极之间成为一条由电子构成的导电沟道，当加上漏源电压UDS之后，就会有电流ID流过沟道。通常将刚出现漏极电流ID时所对应的栅源电压称为开启电压，用UGS(th)表示。 5.4.1 N沟道增强型绝缘栅型场效应管 ID随UDS增加而增加