新型稀磁半导体cu 掺杂limgn 的电子结构和光学性质.pdfVIP

2015 年 第 60 卷 第 9 期：830 ~ 837 《中国科学》杂志社 论 文 SCIENCE CHINA PRESS 新型稀磁半导体Cu 掺杂LiMgN 的电子结构和光学性质 * 邓军权, 毋志民 , 杨武庆, 崔玉亭, 胡爱元, 赵若禺, 王敏娣 重庆师范大学物理与电子工程学院, 光电功能材料重庆市重点实验室，重庆 401331 * 联系人, E-mail: zmwu@ 2014-09-22 收稿, 2014-11-12 接受, 2015-02-28 网络版发表 国家自然科学基金、教育部科学技术重点项目(211152)、重庆市自然科学基金重点项目(cstc2013jjB0155)、重庆市基础与前沿研 究计划(cstc2014jcyjA50005)、重庆市教委科研项目(KJ110634)和国家创新创业训练计划(201410637001)资助 摘要 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法, 对纯LiMgN, Cu掺杂LiMgN, 以及Li