3c-sic 电子结构和磁性的第一性原理计算.pdf

第44 卷第11 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 44 ，No. 11 2 0 1 6 年 1 1 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY November ，2016 DOI ：10.14062/j.issn.0454-5648.2016.11.19 3C-SiC 电子结构和磁性的第一性原理计算 1, 2, 3 1 1 1 2 2 2 林 龙 ，李先宏 ，张 波 ，张战营 ，张志华 ，陶华龙 ，何 明 (1. 河南理工大学材料科学与工程学院，环境友好型无机材料河南省高校(河南省)重点实验室培育基地，河南 焦作 454000 ； 2. 大连交通大学材料科学与工程学院，辽宁 大连 116028 ；3. 河南理工大学数学与信息科学学院，河南 焦作 454003) 摘 要：采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法，分别计算了Si 空位、单个Al 、Al 与Si 空位共掺杂3C-SiC 的电子结构和磁性。结果表明：本征3C-SiC 没有磁性，单一的Al 掺杂对其磁性的改进也没有影响，但可以通过Si 空位的 引入产生自旋极化。在A1 和Si 空位共掺杂3C-SiC 的结构中，Si 空位近邻的C 原子的自旋向上与自旋向下的态密度图明显 不对称，主要是由与Si 空位近邻的C-2p 轨道的自旋极化引起的。 关键词：稀磁半导体；电子结构；磁性；第一性原理；3C-碳化硅 中图分类号：TB333 文献标志码：A 文章编号：0454–5648(2016)11–1668–06 网络出版时间：2016–10–25 09:02:04 网络出版地址：/kcms/detail/11.2310.TQ0902.018.html First-principles Calculation of Electronic Structures and Magnetic Properties in 3C-SiC LIN Long 1,2,3 1 1 1 2 2 2 , LI Xianhong , ZHANG Bo , ZHANG Zhanying , ZHANG Zhihua , TAO Hualong , HE Ming (1. Cultivating Base for Key Laboratory of Environment -Friendly Inorganic Materials in Henan Province, School of Materials Science and Engineering, Henan Polytechnic University, Jiaozuo 454000, Henan, China; 2. School of Materials Science and Engineering, Dalian Jiaotong University, Dalian 116028, Liaoning, China; 3. School of Mathematics and Informatics, Henan Polytechnic University, Jiaozuo 454003, Henan, China) Abstract: The electronic structures and magnetic properties of 3C-SiC with different doping amounts of Al and Si vacancies were investigated via the fi