二硫化钼-硅异质结太阳电池的原位硅异质结太阳电池的原 - 科技导报.pdf

科技导报2016，34（2） 二硫化钼二硫化钼--硅异质结太阳电池的原位硅异质结太阳电池的原位 制备及器件模拟制备及器件模拟 1 1 1,2 李圣浩 ，但易 ，沈辉 1. 中山大学太阳能系统研究所，广州510006 2.顺德中山大学太阳能研究院，顺德528000 摘要摘要 二维材料与晶体硅形成的异质结太阳电池是当前太阳电池研究热点之一，大多数研究都集中在石墨烯和硅形成的肖特基 结太阳电池。为改善器件的能带结构，本研究采用具有一定禁带宽度的n-MoS 二维半导体材料与p-Si形成异质结太阳电池。 2 通过实验研究了退火时间对MoS材料合成的影响，并对MoS-Si异质结的暗电流和光电流曲线进行测量和分析。通过异质结模 2 2 拟软件wx-AMPS对MoS-Si异质结结构进行效率计算和能带分析，探讨了薄膜厚度和载流子浓度对器件开路电压的影响。 2 关键词关键词 二维材料；二硫化钼；太阳电池；异质结；J-V特性 自从2004年Novoselov等用微机械剥离的方法制备出石 薄膜，用拉曼光谱分析实验退火工艺对MoS 材料性质的影2 [1] 墨烯二维材料 ，研究者们就不断探索二维材料在半导体器 响，并研究MoS-Si异质结的光、暗J-V特性曲线。通过wx- 2 件上的应用。二维材料与晶体硅结合形成异质结太阳电池 AMPS建模对异质结太阳电池特性进行模拟分析，研究薄膜 是其中的研究热点之一。石墨烯-硅异质结太阳电池经过大 材料参数产生的影响，并用能带理论对此进行解释。 [2~8] [9] 量的研究 ，目前已经取得15.6%的转换效率 。然而，石墨 烯是一种没有禁带的半导体，与硅只能形成肖特基势垒接 1 MoS-Si器件制备与表征 2 触。这种能带结构不利于太阳电池效率的进一步提高。 实验中，采用两步硫化法在硅片上制备MoS薄膜。电阻 2 在异质结太阳电池中使用过渡金属硫化物MoS作为发 2 率1-3 Ω·cm的硅片经过清洗后放入真空热蒸发设备，蒸镀 [10] -4 射极可以有效改善异质结的能带结构 。在二维材料中， 得到不同厚度的MoO 薄膜。热蒸发