第三章 半导工艺基础概要1.ppt

接触和接近式光刻机 扫描投影式光刻机 70年代末80年代初，现在仍有使用，用来实现1μm的非关键层，采用光学反射或者折射原理将图像投影到晶片上。 使用1：1掩膜版 特点：亚微米尺寸的掩膜版制作困难 非光学曝光（0.1um以下） 电子束曝光 利用低功率密度的电子束照射电致抗蚀剂，经显影后在抗蚀剂中产生图形的一种微细加工技术。 X射线曝光 利用X光抗蚀剂，经显影后在抗蚀剂中产生图形的一种微细加工技术。 离子束曝光 离子束曝光是一种类似于电子束曝光的技术, 它是在聚焦离子束技术基础上将原子被离化后形成的离子束的能量控制在10 keV~200 keV范围内, 再对抗蚀剂进行曝光, 从而获得微细线条的图形。其曝光机理是离子束照射抗蚀剂并在其中沉积能量, 使抗蚀剂起降解或交联反应, 形成良溶胶或非溶凝胶, 再通过显影, 获得溶与非溶的对比图形。 §刻蚀的概念 一、基本概念 刻蚀：去除材料 用化学的或物理的或化学物理结合的方式 有选择的去除（光刻胶开出的窗口） 整体剥离或反刻 被刻蚀的材料：介质 硅 金属 光刻胶 刻蚀 刻蚀工艺： 湿法刻蚀：大尺寸（＞ 3μm尺寸 ） 整体剥离或去除干法刻蚀后的残留物等 干法刻蚀：形成亚微米尺寸 目前用来形成图形主要方法 二、刻蚀