chapter 5 加热制程.pdf

Chapter 5 加熱製程 1 目標 ‧列出四種加熱製程 ‧說明加熱氧化製程 ‧說明擴散製程 ‧說明離子佈植後退火處理的必要性 ‧說明快速加熱製程(RTP)的優點 2 主題 •簡介 •高溫 CVD •硬體 –磊晶矽 •氧化 –多晶矽 •擴散 –氮化矽 •RTP •退火 –RTA –離子佈植後 –RTO –合金 –再流動 •未來趨勢 3 定義 ‧加熱製程係指高溫製程 ，通常指溫度高 於鋁的熔點 ‧加熱製程用於半導體製造的前段 ，通常 在高溫爐中進行 ，一般稱之為擴散爐 4 簡介 •矽的優勢 –量多 ，價格便宜 –穩定且有用的氧化物 •氧化和擴散是早期IC製造的主要製程 5 硬體(Hardware) 6 水平式爐管 ‧加熱製程廣泛使用 ‧石英爐管外包陶瓷襯墊 ‧多爐管系統 7 水平式高溫爐配置 排氣 氣體輸 製程 裝載 送系統 爐管 系統 控制系統 8 控制系統 電腦 微控制器 微控制器 微控制器 微控制器 微控制器 爐管介面 排氣介面 氣體面板 裝載站介面 真空系統 電路板 電路板