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cdznte 晶体中微米级富te 相与pl 谱的对应关系 - 无机材料学报
第 26 卷 第 4 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 26 No. 4
2011 年 4 月 Journal of Inorganic Materials Apr. , 2011
文章编号: 1000-324X(2011)04-0359-05 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2011.00359
CdZnTe 晶体中微米级富 Te 相与 PL 谱的对应关系
徐亚东, 介万奇, 王 涛, 俞鹏飞, 杜园园, 何亦辉
(西北工业大学 凝固技术国家重点实验室, 西安 710072)
摘 要: 采用红外透过显微镜(IRTM)观察了不同条件下生长的 CdZnTe 晶体中微米级富Te 颗粒. 结合实际生长条件
分析了不同富 Te 颗粒的产生以及形态演化. 通过低温光致发光(PL)谱研究了 CdZnTe 晶体中杂质、缺陷的状态, 以
及晶体的结晶质量, 并测试了相应晶体的电阻率. 归纳出不同富 Te 颗粒的产生与对应晶体 10 K 温度下 PL 谱中特
征发光峰之间的关系. 研究表明: 富 Te 条件下生长的晶体存在圆形、六边形以及三角形富 Te 颗粒, PL 谱中(D0, X)
峰强度占主导; 按化学计量比生长的晶体存在十字交叉的富 Te 颗粒, PL 谱中 DAP 峰强度占主导; Cd 过量生长的晶
0
体存在星形富 Te 颗粒, PL 谱中(D , X)半峰宽较宽.
关 键 词: CdZnTe 晶体; 红外透过显微成像; 富 Te 颗粒; PL 谱
中图分类号: TN304 文献标识码: A
Correlation between Te-rich Particles in CdZnTe Crystals and Corresponding PL
Spectra
XU Ya-Dong, JIE Wan-Qi, WANG Tao, YU Peng-Fei, DU Yuan-Yuan, HE Yi-Hui
(State Key Laboratory of Solidification Processing, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, China)
Abstract: Micron-scale Te-rich particles presented in CdZnTe crystals were directly observed using infrared trans-
mission microscopy (IRTM). The generation of various Te-rich particles was discussed in conjunction with the growth
conditions. In order to evaluate the impurities and defects behaviors, and to examine the crystalline quality, photolu-
minescence (PL) spectra were obtained at 10 K. The corr
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