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半导体三极管(BJT)Bipolar Junction Transistor(双极结型晶体管) 1.基本知识 2.基本特性 3.分类、命名、标识 4.制程及工艺 5.应用 6.常见失效模式及其原因 7.Derating标准及其测试方法 外部条件: 根据下图将BE端加正向偏压,将CB两端加较高的反向偏压,图(a)图(b)为能带图和电流分量图:由于E区的杂质浓度较B区高得多,在BE间的正向电场作用下,E区电子向B区运动,由于B区的浓度低,只有少数的电子与B区的空穴复合,大多数电子在CB间的电场作用下向C区流动,形成集电极电流。由于B极的电流较小,就实现了以小电流控制大电流的作用。 ?直流偏置状态(NPN管): R IC IB R IC IB
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