补充-半导体器件基础-课堂3概要1.ppt

* * * * * * * * * 备注 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 电路与电子线路基础 电路部分 * 解 (1) ui为0V ，即uGS＝ui＝0，管子处于夹断状态　 所以u0＝ VDD ＝15V (2) uGS＝ui＝8V时，从输出特性曲线可知，管子工作 在恒流区， iD＝ 1mA， u0＝ uDS ＝ VDD - iD RD ＝10V (3) uGS＝ui＝10V时， 若工作在恒流区， iD＝ 2.2mA。因而u0＝ 15- 2.2*5 ＝4V 但是， uGS ＝10V时的预夹断电压为 uDS= uGS – UT=(10-4)V=6V 可见，此时管子工作在可变电阻区 电路与电子线路基础 电路部分 * 从输出特性曲线可得 uGS ＝10V时d-s之间的等效电阻 (D在可变电阻区，任选一点，如图) 所以输出电压为 [例1.4.3] 自阅 晶体管 场效应管 结构 NPN型、PNP型 结型耗尽型 N沟道 P沟道 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 C与E一般不可倒置使用 D与S有的型号可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 多子运动 输入量 电流输入 电压输入 控制 电流控制电流源 CCCS(β) 电压控制电流源 VCCS(gm) 1.4.4 场效应管与晶体管的比较 电路与电子线路基础 电路部分 * 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小，可有零温　　　　　　　　　　　　　　度系数点 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和　　　　　　　　　　　　　　　超大规模集成　　 晶体管 场效应管 电路与电子线路基础 电路部分 * 小 结 第 1 章 电路与电子线路基础 电路部分 * 一、两种半导体和两种载流子 两种载流 子的运动 电子 空穴 两 种 半导体 N 型 (多电子) P 型 (多空穴) 二、二极管 1. 特性 — 单向导电 正向电阻小(理想为 0)，反向电阻大(?)。 电路与电子线路基础 电路部分 * iD O uD U (BR) I F URM 2. 主要参数 正向 — 最大平均电流 IF 反向 — 最大反向工作电压 U(BR)(超过则击穿) 反向饱和电流 IR (IS)(受温度影响) IS 电路与电子线路基础 电路部分 * 3. 二极管的等效模型 理想模型 (大信号状态采用) uD iD 正偏导通 电压降为零 相当于理想开关闭合 反偏截止 电流为零 相当于理想开关断开 恒压降模型 UD(on) 正偏电压 ? UD(on) 时导通 等效为恒压源UD(on) 否则截止，相当于二极管支路断开 UD(on) = (0.6 ? 0.8) V 估算时取 0.7 V 硅管： 锗管： (0.1 ? 0.3) V 0.2 V 折线近似模型 相当于有内阻的恒压源 UD(on) 电路与电子线路基础 电路部分 * 4. 二极管的分析方法 图解法 微变等效电路法 5. 特殊二极管 工作条件 主要用途 稳压二极管 反 偏 稳 压 发光二极管 正 偏 发 光 光电二极管 反 偏 光电转换 电路与电子线路基础 电路部分 * 三、两种半导体放大器件 双极型半导体三极管(晶体三极管 BJT) 单极型半导体三极管(场效应管 FET) 两种载流子导电 多数载流子导电 晶体三极管 1. 形式与结构 NPN PNP 三区、三极、两结 2. 特点 基极电流控制集电极电流并实现放大 电路与电子线路基础 电路部分 * 放 大 条 件 内因：发射区载流子浓度高、 基区薄、集电区面积大 外因：发射结正偏、集电结反偏 3. 电流关系 IE = IC + IB IC = ? IB + ICEO IE = (1 + ?) IB + ICEO IE = IC + IB IC = ? IB IE = (1 + ? ) IB 电路与电子线路基础 电路部分