用于制备gan 的硅基zno 过渡层的高温热处理研究.pdfVIP

　第 20 卷第 10 期 半　导　体　学　报 . 20, . 10 V o l N o 　1999 年 10 月 . , 1999 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S O ct 用于制备 GaN 的硅基ZnO 过渡层 的高温热处理研究 李剑光　叶志镇　汪　雷　赵炳辉　袁　骏　阙端麟 (浙江大学　硅材料国家重点实验室　杭州　310027) 摘要　我们利用直流反应磁控溅射法制备出在 C 轴上取向高度一致的 ZnO 薄膜, 为了进一步 检验作为高温生长 GaN 材料衬底的可行性, 我们模拟衬底加热, 进行了样品高温热处理. 比较 了样品高温热处理前后的晶体性能, 发现热处理后使 ZnO 薄膜的吸附氧明显减少, 孔隙率降 低, 薄膜的密度增加, 有效地提高了薄膜的晶体性能; 在 ZnO 和硅两者的界面上形成了一个富 锌区. 所以, 用我们的方法制备的 ZnO 薄膜有望成为外延 GaN 单晶薄膜的理想衬底. PACC: 6855 1　引言 在 GaN 研究领域中, 普遍存在一个难题, 那就是由于衬底和 GaN 之间存在晶格失配和 高温相容性差等问题而缺乏一种合适的衬底. 国内、外众多科学家一致认为衬底材料的晶体 [ 1 ] 结构是影响 GaN 外延层的晶体质量的主要因素之一 . 由于缺乏一种理想的衬底材料, 蓝 宝石在目前仍然是主要的衬底材料之一. 但蓝宝石和 GaN 之间大的晶格失配将造成晶体缺 陷, GaN 膜和衬底之间热膨胀系数相差较大也使 GaN 存在较大热应力, 并可能造成厚 GaN [ 2 ] 膜龟裂, 因而生长晶体结构完整, 表面光滑的 GaN 单晶膜具有一定难度 . 为获得较好 GaN 晶体质量, 不得不在衬底上生长较厚的外延层来克服这一难题; 另一方面蓝宝石还存在价格 [ 3 ] 昂贵, 制作工艺存在不易蒸镀金属电极等难题 . 硅是常见的半导体材料, 价格低廉, 其平面工艺和集成技术相当成熟, 但以硅作衬底同 样存在不匹配的问题, 生长 GaN 质量不够理想. 因此, 国内、外科学家通常采用在硅片上首 先生长一层过渡层, 然后再生长 GaN 的方法来获得晶体质量理想的GaN 薄膜. 在众多的过 渡层材料中, ZnO 因其固有的物理性质而将成为 GaN 单晶薄膜的理想衬底, 如: ZnO 属六 [ 4 ] 方晶系, 其晶格参数为 = 0 32