第六章 2.3半控型器件--晶闸管.pptVIP

电气工程系 2.3 半控型器件---晶闸管 2.3.1 晶闸管的结构与工作原理 2.3.2 晶闸管的基本特性 2.3.3 晶闸管的主要参数 2.3.4 晶闸管的派生器件 2.3.1 晶闸管的结构与工作原理 外形有螺栓型和平板型两种封装 引出阳极A、阴极K和门极（控制端）G三个联接端 对于螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便 平板型封装的晶闸管可由两个散热器将其夹在中间 晶闸管如何导通呢？ 试验结论： 导通条件：在 AK端承受正向电压，GK端也承受正向电压时， 晶闸管导通，而且晶闸管一旦导通，门极就失去了控制作用，不论门极电压是正还是负，晶闸管保持导通。所以，在实验中，我们发现，门极控制信号只需要一个脉冲即可。 关断条件：如果在晶闸管导通后， AK端一直承受正向电压，则晶闸管持续导通，只有降低AK端正向电压，使通过晶闸管的电流降到一定数值以下，或去掉AK端的正向电压，或给AK端施加反向电压，晶闸管才会关断。 若此时有一个额定电流为100A的晶闸管，则在单相工频正弦半波电路中其允许的电流有效值为多少？ 使用时应注意： 1.选用晶闸管时，不单要关断时间短，而且要求高频时的di/dt耐量高，且有一定裕量。 2.高频晶闸管为了提高关断速度，硅片厚度较薄，所以其重复阻断电压不易很大。 3.快速晶闸管的门极占据的面积增大，使阳极面积被压缩，使长期允许通过的电流受到限制，故不宜工作于低频。 例题2：单相桥式电路 平均值： 有效值： 所以： //相同有效值下的等效平均值 3. 门极定额 1) 门极触发电流IGT ——在室温下，阳极直流6V时，晶闸管从断到通所需的最小门极电流。 2) 门极触发电压UGT ——产生IGT所需的最小门极电压 以上两个值均为下限值，应用时应适当大于这两个值，当不能超过其峰值IFGM和UFGM。且两者之积也不能超过峰值功率PGM,最好在门极平均功率PG之下。 4. 其他参数 ——器件正常工作时允许的最高PN结结温。在这个温度以下，一切特性均能保证。 1）额定结温 后两个参数属于动态参数 2) 断态电压临界上升率du/dt ——关断时，加在AK端的正向电压的变化速度。 du/dt有一个临界值，低于这一值，晶闸管正常工作，高于这一值，有可能使晶闸管误导通。 3) 通态电流临界上升率di/dt ——晶闸管从断态转入通态时，电流的变化速度。 di/dt过大时，刚导通的晶闸管在门极周围会集中很大的电流，会造成局部过热，使晶闸管损坏。 在阻断的晶闸管两端施加的电压具有正向的上升率时，相当于一个电容的J2结会有充电电流流过，被称为位移电流。此电流流经J3结时，起到类似门极触发电流的作用。如果电压上升率过大，使充电电流足够大，就会使晶闸管误导通 。 例题 如图，阳极电流为交流电压，门极在t1瞬间合上开关Q，t4时刻开关Q断开，求电阻上的电压波形ud。 Q Eg Ug Ia Ua U2 Rd Ud t t t 2.3.4 晶闸管的派生器件 1. 快速晶闸管（Fast Switching Thyristor——FST) 包括所有专为快速应用而设计的晶闸管，有快速晶闸管和高频晶闸管。 管芯结构和制造工艺进行了改进，开关时间以及du/dt和di/dt耐量都有明显改善。 普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高频晶闸管10?s左右。 高频晶闸管的不足在于其电压和电流定额都不易做高。 由于工作频率较高，选择通态平均电流时不能忽略其开关损耗的发热效应。 高频晶闸管系列 2.双向晶闸管（Triode AC Switch——TRIAC或Bidirectional triode thyristor） 双向晶闸管内部结构 伏安特性 U I Ⅰ Ⅲ IG=0 T1为正 T2为负 T1为负 T2为正 触发方式 Ⅰ+触发：T1为正，T2为负；门极为正，T2为负。Ⅰ-触发：T1为正，T2为负；门极为负，T2为正。 Ⅲ+触发：T1为负，T2为正；门极为正，T2为负。 Ⅲ-触发：T1为负，T2为正；门极为负，T2为正。 常用触发 方式：Ⅰ+ 、Ⅲ- 双向晶闸管系列 KS系列双向可控硅元件，是一种具有双稳态特性的器件，可用作交流无触点开关，交流电机调速调光、调压、调温等设备中作为主要功率控制元件。 可认为是一对反并联联接的普通晶闸管的集成。 有两个主电极T1和T2，一个门极G。 正反两方向均可触发导通，所以双向晶闸管在第Ｉ和第III象限有对称的伏安特性。 与一对反并联晶闸管相比是经济的，且控制电路简单，在交流调压电路、固态继电器（SSR）和交流电机调速等领域应用较多。 太原工业学院自动化系 * 电力电子技术 晶闸管（Thyri