IC缺陷红外发光的数字锁相显示技术及其应用研究.pdfVIP

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2017-07-08 发布于未知
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IC缺陷红外发光的数字锁相显示技术及其应用研究.pdf

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指导小王家楫教授俞宏坤副教授方培源高局工工摘要…………………………………………………………………………………………………………………………………．………l Abstract……………………………………………………………………………………………………………………………………．．1 第一章背景介绍…………………………………………………………………………………………l 1．1半导体产业的发展趋势…………………………………………………………………………l 1．2失效分析在产业中的地位和作用………………………………………………………………3 1．3半导体失效分析常用设备………………………………………………………………………．3 1．4失效分析面临的挑战……………………………………………………………………………5 1．5本选题的研究目的、意义和主要内容…………………………………………………………6 1．5．1研究的目的和意义………………………………………………………………………6 1．5．2研究的主要内容…………………………………………………………………………………。7 第二章半导体材料、结构及结构缺陷的红外发光机理………………………………………………8 2．1半导体材料发光机理……………………………………………………………………………．8 2．1．1直接或间接带间跃迁：…………………………………………………………………9 2．1．2激子复合………………………………………………………………………………。10 2．1．3杂质能级与导带价带之间的跃迁……………………………………………………．10 0 2．1．4带内跃迁………………………………………………………………………………l 2．2半导体结构的发光机理…………………………………………………………………………10 2．2．1正偏PN结…………………………………………………………………………………lO 2．2．2反偏PN结………………………………………………………………………………ll 2．2．3绝缘介质层……………………………………………………………………………．12 2．3集成电路结构缺陷的发光机理……………………………………………………………………13 2．3．1闩锐效应………………………………………………………………………………．13 2．3．2热载流子效应………………………………………………………………………………．15 2．3．3绝缘介质层击穿…………………………………………………………………………16 2．3．4 7 EsD保护结构击穿……………………………………………………………………．1 2．4本章小结………………………………………………………………………………………l8 第三章数字锁相光发射显微镜工作原理及参数设置………………………………………………．．19 3．1光发射显微镜工作原理………………………………………………………………………l9 3．1．1EMMI工作原理…………………………………………………………………………19 3．1．2oBIRCH工作原理……………………………………………………………………………………．20 3．1-3EMMI与OBIRCH的比较……………………………………………………………………．2l 3．2可被光发射显微镜探测到的光源分类………………………………………………………22 3．2．1场加速载流子的散射产生的发光(F-PE)………………………………………………22 3．2．2电子空穴对的辐射性复合产生的发光限．PE)…………………………………………22 3-3光发射