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- 2017-07-16 发布于北京
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半导体材料与器件 教材与参考书 黄昆 《固体物理》 刘恩科 《半导体物理学》 施敏《半导体器件物理与工艺》 半导体材料的基本特性与分类 基本特性: 电阻率介于10e-3~10e6Ω.cm,可变化区间大,介于金属(10e-6Ω.cm)和绝缘体(10e12Ω.cm)之间 纯净半导体负温度系数,掺杂半导体在一定温度区域出现正温度系数 不同掺杂类型的半导体做成pn结后,或是金属与半导体接触后,电流与电压呈非线性关系,可以有整流效应 具有光敏性,用适当波长的光照射后,材料的电阻率会变化,即产生所谓光电导 半导体中存在着电子与空穴两种载流子 分类:元素半导体与化合物半导体 能带理论 固体类型: 单晶:长程有序(整体有序,宏观尺度,通常包含整块晶体材料,一般在毫米量级以上); 多晶:长程无序,短程有序(团体有序,成百上千个原子的尺度,每个晶粒的尺寸通常是在微米的量级); 非晶(无定形):基本无序(局部、个体有序,仅限于微观尺度,通常包含几个原子或分子的尺度,即纳米量级,一般只有十几埃至几十埃的范围) 7大晶系、14种布拉菲格子 简单立方格子的重要晶面 Si的sp3杂化 Si与GaAs的能带结构 E(k)图中对称点的含义 E(k)图的理论计算与实验确定:薛定谔方程 绝热近似 考虑到原子核或离子实的质量比电子大得多,电子运动的速度比离子实快得多,在讨论传导电子运动时,可以认为离子是固定在瞬
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