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2017-07-08 发布于北京
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采用半导体量子阱薄膜实现NdYAG激光器被动锁模.pdf

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采用半导体量子阱薄膜实现NdYAG激光器被动锁模.pdf

第29卷第6期光学学报 V01．29。No．6 2009年6月 ACTA0PTICASINICA June，2009 文章编号：0253—2239(2009)06—1591一05 d：YAG激光器采用半导体量子阱薄膜实现N 被动锁模王加贤王国立苏培林郭亨群 (华侨大学信息科学与工程学院，福建泉州362021) 摘要对1．06弘m激光的小信号透过率为23％。该薄膜兼作Nd：YAG激光器的叮饱和吸收体及耦合输出镜，实现 1．064 pm激光的被动锁模运转，获得平均脉宽23ps，能量15n1J的单脉冲序列。采用射频磁控溅射法在石英衬底上制备4个周期的Si／SiN，多量子阱薄膜，样品在氮气环境下以1000℃退火30min后，插入Nd：YAG激光器腔内，实现1．064“m激光的被动锁模，获得脉宽30ps的脉冲序列。多量子阱半导体薄膜作为可饱和吸收体实现激光器的被动锁模具有成本低、设计和制作简单、运转稳定和使用方便的优点。关键词激光技术；InGaAsP多量子阱；si／siN；多量子阱；被动锁模；Nd：YAG激光器中图分类号 TN248．1 文献标识码 A doi：10．3788／AO159l PassiVe inNd：YAGLaser Mode-Locking Using Films Quantum-Well GuoliSu PeilinGuo WangJiaxianWang Hengqun (c：D￡￡哪0，埘．or仇口“o他Scie竹c8 AbstractA InGaAsP filmhasbeen onInPsubstrateatalow metal 6一period quantum—welIs grown temperatureby chemical small transmissionofthe at1．064 is organic vapordeposition(M()CVD)．Thesignal sample pm23％．By itasasaturableabsorberandan ina laser Nd：YAG using outputcouplerconcurrently，passivemode-lockingoperation at canberealized，anda trainwith durationof23 and of15TIlJwas 1．064弘m singlepulse aVeragepulse ps energy obtained．A wichconsistedof structurehasbeen on substrates Si／SiN；film 4-periodquantum—wells preparedquartz RF reaction andanneal