采用半背沟注入提高部分耗尽SOI nMOSFETs的漏源击穿电压.pdfVIP

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2017-07-08 发布于北京
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采用半背沟注入提高部分耗尽SOI nMOSFETs的漏源击穿电压.pdf

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采用半背沟注入提高部分耗尽SOI nMOSFETs的漏源击穿电压.pdf

第26卷第10期半导体学报 V01．26No．10 oFSEMICoNDUCToRS 0ct．，2005 2005年10月 CHINESEJoURNAL of SoI Breakdown ImproVed VoltagePartia¨yDepleted withHalf_Back—Channel Implantation HaiChaohe Wu Duoli，BiJinshun，and Junfeng，ZhongXinghua，Li 100029，(孺i”口) (工ns矗￡甜据o，MifroP￡Pc￡rD”ifs，C^i竹PsPAcndPmyo，SciPncPs，BP巧ing SOInMOSFETswith depleted AbStract：FB(floating-body)andBC(body_contact)partially suchdeviceshave in theoccur— arefabricated．Testresultsshowthat nel)implantation goodperformancedelaying renceof and thebreakdownas toconventionalPDSoInMOS— the‘‘kink’’phenomenonimproving voltagecompared theback simulationshowsthatare— FETs，whilenot thethresholdof obviously．Numerical decreasing voltage gate ducedelectricalfieldinthedraincontributestothe ofthebreakdownanda ofthe“kink” improvement voltagedelay for ofsuch ofbreakdownandthe ofthe effect．Adetailed is thecause improvement voltage delay analysisgiven “kink”effect． effect KeywoI．ds：PDSOI；HBC；breakdown；kink EEACC：2560 Article CLCnumber：TN386．1Documentcode：A lD：0253—4177(2005)10一1875一06