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采用双层栅极场板结构的LDMOS器件优化设计.pdf
第35卷第8期 电 子 元 件 与 材 料 、，01．35No．8
AND
2016年8月 ELECTRONICCOM咿ONENTSM√虹’ERIALS Aug．2016
采用双层栅极场板结构的LDMOS器件优化设计
慈朋亮
(上海华力微电子有限公司，上海201203)
TCAD仿真软件对器件最关键的两个部分即
具有较高要求，一般采用具有两层场板的RESURF结构。通过Taurus
场板和N型轻掺杂漂移区进行优化设计，在提高器件击穿电压BV的同时，降低了其导通电阻月DSOIl。最终仿真得
到的击穿电压BV为118v，导通电阻RDSo。为23Q·rtlm。
关键词：RFLDMOS；击穿电压；导通电阻；RESURF；双层场板；仿真
doi：10．141068．cnki．1001-2028．2016．08．012
中图分类号：TN386 文献标识码：A 文章编号：1001-2028(2016)08-0050-05
withdoubleshield
ofLDMOS
design gate
Optimal
CI
Pengliang
HualiMicroelectronics
(Shanghai Corporation，Shanghai201203，China)
a breakdown
Abstract：Thestructureofan 50VRFLDMOSwas ordertoobtmn
N—type investigated．In higher voltage
alower Surface withtwofield shield,or
(BV)andon-resistance(RDSon)，theRESURF(ReducedField)structureplates(gate
thefield and drift BVshouldbe
G··shield)wasapplied．ConsideringplatesN-typelightdopedregionproperly，the improved
the bereduced．Thedevicecharacteristicswere thedevicesimulatorTaurus
whileRDs∞should analyzedbyemploying
BVand are118Vand23
TCAD．Withthe RESURF simulated
optimized structure，the RDson Q‘mm,respectively．
words：RFLDMOS；breakdown field
Key voltage；on-resistance；RESURF；twoplates；simulat
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