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13节大信号模型轮廓
6.012 微电子器件与电路
第13讲大信号模型—大纲
•讲义
大纲和摘要
•复习
MOSFET模型：缓变沟道近似
比较MOSFET和BJT的模型和特征
•精确的器件模型
电荷存储：
结型二极管
BJT
MOSFET
初期效应
1.BJT的基区宽度调制: wB(vCE)
2.MOSFET管的沟道长度调制：L(vDS)
外在寄生效应：导线电阻，电容，电感。
• 缓变沟道近似的——复习
X方向中的静电问题：
qn*(y)是vGS,vBS, 和vCS(y)的函数。
Y方向的漂移问题：
iD与vGS,vDS,和vBS相关
当v 达到(v - V )/a, y=L时沟道
DC GS T
突然消失并且电流持续稳定在饱和
值。
•渐进沟道近似的复习
全解：
对 有效：
可以用几种不同方法写出阈值电压
模型中没有因数a，因为它是一个近似数值，而且对结果的精确度以及我们的分
析判断影响不大，因此忽略。
给大信号模型增加电荷存储
P区过剩电荷+结耗尽电
荷
基区过剩电荷+E-B结耗
尽电荷
C-B结耗尽电荷
栅极电荷：是VGS ，VDS
和VBS的函数
D-B结耗尽电荷
S-B结耗尽电荷
有效长度的调制—早期效应：MOSFET
MOSFET:
我们首先明确沟道长度随VDS 的增加的减少，写出其与VDS 的一阶函数关系式：
代入沟道长度随vDS 的改变量K得到：
因此，饱和状态下：
有效长度的调制—早期效应：BJT
BJT:
我们首先认识到基区宽度随的vCE 的增加而减少，写出其与vCE 的一阶函数关系式：
接着我们注意到BJT中发射区缺陷是非常重要的因素：
插入基区宽度随vDC 的变量到 得到：
因此，在F.A.R中：
大信号模型：我们什么时候使用他们？
数字电路分析/设计：
需要对整个电路进行分析，是节后面两讲15和16的主要内容
工作点分析/设计：
这要使用FAR模型（17讲）
6.012 微电子器件与电路
第13讲大信号模型—摘要
•精确的器件模型
电荷存储：
1结型二极管-耗尽和扩散电荷
2BJT-在EB结：耗尽和扩散电荷
在CB结：耗尽电荷
3MOSFET-在B和S，D间：n+-p结耗尽电荷
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