600V槽栅IGBT优良性能的机理分析.PDF

第42卷 第9期 北 京 工 业 大 学 学 报 Vol.42 No.9 2016年 9月 JOURNAL OF BEIJING UNIVERSITY OFTECHNOLOGY Sept. 2016 600V槽栅IGBT优良性能的机理分析 1 1 2 1 1 1 1 1 吴摇 郁 ,周摇 璇 ,金摇 锐 ,胡冬青 ,贾云鹏 ,谭摇 健 ,赵摇 豹 ,李摇 哲 (1.北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京摇 100124; 2.国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所,北京摇 100192) 摘摇 要:槽栅结构对功率绝缘栅双极晶体管(insulategatebipolartransistor,IGBT)的影响主要是n鄄漂移区的电导调 制而不是对沟道电阻的改善,为了论证这一问题,采用仿真工具 Sentaurus TCAD,针对600 V 的Trench IGBT 和 Planar IGBT两种结构的阻断特性、导通特性和开关特性等进行仿真分析,重点研究了2种结构在导通态时n鄄漂移 区和沟道区各自所占的通态压降的比例以及n鄄漂移区内的过剩载流子数量. 结果表明:2种结构的沟道区压降所 占比例较小且相差很少,槽栅结构的n鄄漂移区内载流子数量远超平面栅结构,电导调制效果更好,即槽栅结构主要 是对n鄄漂移区的电导调制的改善. 同时研究了2种IGBT结构的E 鄄V 折中曲线,发现槽栅IGBT具有更低的 off CE(on) 通态压降和关断损耗. 关键词:绝缘栅双极晶体管(insulate gate bipolar transistor,IGBT);槽栅;平面栅;通态压降;关断损耗 中图分类号:TN323 文献标志码:A 文章编号:0254-0037(2016)09-1313-05 doi:10.11936/ bjutxb2015120063 Mechanism Analysis of the600V Trench IGBT With Improved Performance 1 1 2 1 1 1 1 1 WU Yu ,ZHOU Xuan ,JIN Rui ,HU Dongqing ,JIA Yunpeng ,TANJian ,ZHAO Bao ,LI Zhe (1.College of Electronic Information and Control Engineering,Beijing University of Technology,Beijing 100124,China; 2.New Electrical Material Microelectronics Institute,State Grid Smart Electrical Engineering,Beijing 100192,China) Abstract:The influence of the trench structure of the power IGBT is mainly n鄄drift region conductivity modulation rather than the improvement of the channel resis