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3.3只读存储器和闪速存储器 3.3.1只读存储器 1.ROM的分类 只读存储器简称ROM，它只能读出，不能写入。 它的最大优点是具有不易失性。 根据编程方式不同，ROM通常分为三类：　 　　　　　　　　　　表3.5 ROM的分类 只读存储器　　 　定　　义 优　　点 缺　点 　掩模式　 数据在芯片制造 可靠性和集成度高 不能重写 过程中就确定 价格便宜 　 一次编程 用户可自行改变产 可以根据用户 只能一次 品中某些存储元 需要编程 性改写　 多次编程　可以用紫外光照射或 可以多次改写 电擦除原来的数据， ROM中的内容 然后再重新写入新的 数据　 2.光擦可编程只读存储器(EPROM) (1)基本存储元电路:P沟道EPROM的基本电路结构示意图演示 (2)EPROM实例:　　2716的内部结构图如图所示 图3.22 2716型结构方框图 表 3.6 　工 作 模 式 选 择　　 　 　　 　 　操作\引脚　 PD/PGM　　 CS　 Vpp　 Vcc　 数据输出　 　读　　 低　　 低　 +5V　 +5V　　 输出　　 未选中　　 无关　　 高　 +5V　 +5V　　 高阻　　 功率下降　　 高　 无关　 +5V　 +5V　　 高阻　　 编程　 由低到高脉冲　 高　 +25V　 +5V　 输入 2716的读出周期与备用周期的波形示于图3.23中。 读周期十分简单,由地址有效开始,经过时间tACC1以后,数据即可由存储矩阵读出.但能否进到外部数据总线,还取决于选片信号CS.为了保证自地址有效起经tACC1时间数据能够可靠输出,要求选片信号必须在数据有效前tCO时间有效. 为了减少功耗,EPROM还可以工作在功耗下降(备用)方式.此时功耗可由525mW下降到132mw. （a）读周期 【例3】　CPU的地址总线16根(A15—A0，A0为低位)，双向数据总线8根(D7—D0)，控制总线中与主存有关的信号有MREQ(允许访存， 低电平有效)，R/W(高电平为读命令，低电平为写命令)。主存地址空间分配如下：0—8191为系统程序区，由只读存储芯片组成；8192—32767为用户程序区；最后(最大地址)2K地址空间为系统程序工作区。上述地址为十进制，按字节编址。现有如下存储器芯片： EPROM：8K×8位(控制端仅有CS); SRAM：16K×1位，2K×8位，4K×8位，8K×8位. 请从上述芯片中选择适当芯片设计该计算机主存储器，画出主存储器逻辑框图，注意画出选片逻辑(可选用门电路及3∶8译码器74LS138)与CPU 的连接，说明选哪些存储器芯片，选多少片。 【解】　 主存地址空间分布如图所示。 　　根据给定条件，选用 EPROM：8K×8位芯片1片。 SRAM：8K×8位芯片3片， 2K×8位芯片1片。 3∶8译码器仅用Y0，Y1，Y2，Y3和Y7输出端，且对最后的2K×8位芯片还需加门电路译码。 主存储器的组成与CPU连接逻辑图如下图所示。 图3.24　主存储器组成与CPU的连接逻辑图 * *