一种新的SPICEBSIM3v3HCI可靠性模型的建立及参数优化-电子器件.PDF

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2017-08-05 发布于天津
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一种新的SPICEBSIM3v3HCI可靠性模型的建立及参数优化-电子器件.PDF

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一种新的SPICEBSIM3v3HCI可靠性模型的建立及参数优化-电子器件

第３７卷第６期电子器件Ｖｏｌ３７　Ｎｏ６２０１４年１２月ＣｈｉｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅｓＤｅｃ. ２０１４ＡＮｅｗＳＰＩＣＥＢＳＩＭ３ｖ３ＨＣＩＲｅｌｉａｂｉｌｉｔｙＭｏｄｅｌｏｆＭＯＳＦＥＴａｎｄＰａｒａｍｅｔｅｒＯｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ１１∗ １１２ＹＵＹｕｅｙｕｎ ꎬＬＩＮＨｏｎｇ ꎬＺＨＡＯＴｏｎｇｌｉｎ ꎬＤＩＧｕａｎｇｚｈｉ ꎬＳＨＩＹａｎｌｉｎｇ (１.ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＣｏｍｐｕｔｅｒａｎｄＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎꎬＳｏｕｔｈｗｅｓｔＦｏｒｅｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙꎬＫｕｎｍｉｎｇ６５０２２４Ｃｈｉｎａꎻ ２.ＳｃｈｏｏｌｏｆＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙꎬＥａｓｔＣｈｉｎａＮｏｒｍａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙꎬＳｈａｎｇｈａｉ２０００６２ꎬＣｈｉｎａ) Ａｂｓｔｒａｃｔ:ＡｎｉｎｎｏｖａｔｉｖｅｍｏｄｅｌｉｎｇｍｅｔｈｏｄｉｓｐｒｅｓｅｎｔｅｄｆｏｒｄｅｓｃｒｉｂｉｎｇＢＳＩＭ３ｖ３ＳＰＩＣＥｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙｍｏｄｅｌｏｆＭＯＳＦＥＴｄｕｅｔｏｈｏｔｃａｒｒｉｅｒｉｎｊｅｃｔｉｏｎ. ＳｅｖｅｎｍａｉｎｐａｒａｍｅｔｅｒｓａｓｓｏｃｉａｔｅｄｗｉｔｈＨＣＩａｒｅｏｐｔｉｍｉｚｅｄｉｎＯｒｉｇｉｎａｌＢＳＩＭ３ｖ３ｓｏｕｒｃｅｃｏｄｅꎬａｎｄｉｎｃｒｅａｓｅｄｔｈｅｉｒｒｅｌｅｖａｎｔｔｉｍｅｍｏｄｕｌａｔｉｎｇｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｗｈｉｃｈｃａｎｂｅａｃｑｕｉｒｅｄｓｅｖｅｎｅｑｕａｔｉｏｎｓ. Ｉｎｔｈｉｓｗｏｒｋꎬ －５ＶｏｐｅｒａｔｉｎｇｖｏｌｔａｇｅｎＭＯＳＦＥＴｗｉｔｈ１０ μｍｇａｔｅｌｅｎｇｔｈａｎｄ０.５ μｍｇａｔｅｗｉｄｔｈｉｓｐｒｅｐａｒｅｄ. ＴｈｅＩＶｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｃｕｒｖｅａｆｔｅｒｐａｒａｍｅｔｅｒｓｅｘｔｒａｃｔｉｏｎｆｉｔｔｈｅｍｅａｓｕｒｅｄｒｅｓｕｌｔｓｖｅｒｙｗｅｌｌꎬｓｏａｎａｃｃｕｒａｔｅｎｅｗｍｏｄｅｌｏｆＭＯＳＦＥＴｓｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙｍｏｄｅｌｉｓａｃｈｉｅｖｅｄ. ＵｓｉｎｇｔｈｅＢＳＩＭ３ｖ３ＳＰＩＣＥｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙｍｏｄｅｌꎬｔｈｅｔｙｐｉｃａｌＩ ꎬＶ ꎬＩ ꎬＧｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎａｓａｆｕｎｃ￣ｄｓａｔｔｈｄｌｉｎｍａｘｔｉｏｎｏｆｓｔｒｅｓｓｔｉｍｅｉｓｐｌｏｔｔｅｄ(ａｃｈｉｅｖｅｄ)ａｎｄｔｈｅｌｉｆｅｔｉｍｅｏｆＭＯＳＦＥＴｓｃａｎｂｅｅｖａｌｕａｔｅｄ. Ｋｅｙｗｏｒｄｓ:ＭＯＳＦＥＴꎻＨＣＩꎻｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙꎻＳＰＩＣＥｍｏｄｅｌꎻＢＳＩＭ３ｖ３ｍｏｄｅｌ－ＥＥＡＣＣ:２５００　　　　ｄｏｉ:１０.３９６９/ｊ.ｉｓｓｎ.１００５９４９０.２０１４.０６.００８一种新的ＳＰＩＣＥＢＳＩＭ３ｖ３ＨＣＩ可靠性模型的建立及参数优化１１∗ １１２禹玥昀 ꎬ林　宏 ꎬ赵同林 ꎬ狄光智 ꎬ石艳玲 (１.西南林业大学计算机与信息学院ꎬ昆明６５０２２４