引言不对称半桥DC/DC变换器具有软开关工作、器件数量少以及控制.PDF

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引言不对称半桥DC/DC变换器具有软开关工作、器件数量少以及控制

电子发烧友 电子技术论坛 引言 不对称半桥DC /DC 变换器具有软开关工作、器件数量少以及控制简单等优点,因此,在不超过1000W 的中小功率变换电路中得到广泛的应用。但是,在传统的不对称半桥电路拓扑中,只有在变压器漏感和主 开关的寄牛电容产生谐振时才能实现零电压开关,因此,为了实现软开关,谐振电感(即变压器漏感)的值 必须足够大.而谐振电感与输出整流二极管的寄生电容在换流过程中会发生严重谐振,产生电压冲击,甚 至击穿输出二极管,而且大的漏感会导致大的占空比丢失。 为避免输出二极管误工作和损坏,必须限制由变压器漏感和二极管寄生参数谐振产生的过电压。通常, 在二极管两端加箝位和吸收电路可以限制该过电压,例如,经常使用的方法是在二极管两端加电阻- 电容- 二极管吸收电路(RCD 电路)来抑止过电压。但该电路最大的缺点是能量几乎全部消耗在电阻上,这将明显 降低该变换器的效率。另外,电压的波动会持续以较低的频率出现,而且很难消除。 1 箝位二极管的作用 一个很好的解决方案是在变压器Tr 的原边加箝位二极管,如图1 所示: 加箝位二极管的目的是在不改 变变换器工作特性的前提下,消除输出整流管换流时与外部电感谐振吋产生的过电压,通过这两个二极管 将变压器Tr 原边电压箝位在电容C3 和C4 的端电压Vc1 和Vc2 。其过程为:如果开关S1 导通占空比为D, 则S,的占空比为1-D,当S1 导通吋,变压器原边的电压通过二极管Dg1 箝位为Vc1 ,当S2 导通时,变 压器原边的电压经 Dg2 箝位为-Vc2,相应地副边的电位也箝位住了,输出整流二极管(Dr1 和 Dr2)上也不 会出现明显的电压冲击。此时,输入电压源和电容通过箝位二极管吸收输出整流管与外部电感谐振产生的 能量,而通过箝位二极管的电流很小,而且它们只在输出整流管换流时才起作用,因此,它们对整个变换 器的工作过程影响很小。 通过变压器原边的箝位和减小变压器漏感,完全去掉输出整流管端的 RCD 吸收电路是可能的。但是, 变压器的漏感不可能完全消除,只通过原边的箝位有时不能抑制住输出整流二极管端的过电压,还必须在 输出整流二极管端并联 RCD 吸收电路,此时RCD 吸收电路只起辅助作用,它的各参数取值也与只使用只 CD 吸收电路时不同,通常取较小的电容和相对大的电阻为宜。 这种变压器原边带箝位电路的方法只适用于谐振电感电流不连续的工作状态(DCM)。下面具体分析该电 路实现零电压开关的过程。 2 工作过程分析 为了简化分析,我们做如下假定: 1)开关管S1 和S2 看作理想开关分别与寄生电容(C1、C2)、反向二极管(D1、D2)并联,不考虑MOSFET 管反向漏电流; 2)变压器简化为理想变压器廾联激磁电感(Lm)、串联漏感(L1k)的模型; 3) 电容C3 和C4 看作恒定的电压源; 4)输出看作恒定的电流源,其值为Io; 5)考虑二极管D1、D2、Dc1、Dr2 的换流效应; 6)其他器件为理想器件,电路进入稳态; 由图1 可知,当S1 导通时,A 点的电压为DE,而一个周期内电感Lm、L1k 及Lr 上的平均电压为0, 因此,电容C2 上的电压为DE,而电容C1 上的电压为(1-D)E。输出整流二极管Dr1、Dr2 的导通时间是不 等的,变压器原边的正向电流和反向电流并不相等,电感Lm 可以吸收其差值以保证流过电容C3 和C4 的 平均电流为零。 该变换器的一个开关周期叮以分为12 个工作阶段,其工作波形如图2 所示,其中vGS1 和vGS2 分别是 S1 和S2 的驱动波形。可以看到前半个周期和后半个周期里工作波形是对称的,工作过程是类似的,所以, 下面只分析半个周期的6 个工作阶段,分别如图3 所示的6 个等效电路。 电子发烧友 电子技术论坛 1)阶段1[t0~t1]在t0 时刻S1 导通,原边电流流过S1,方向如图3(a)所示,大小为额定负载电流In 与激 磁电流iLM 的和Io+iLM。A 、B 之间的电压为(1-D)E,激磁电感Lm 吸收能量,电容C3 放电。此阶段是功 率传送阶段,在t1 时刻S1 关断时,该过程结束。 2)阶段2[t1~t2] S1 关断电流在C1、C2 间开始环流,电容C1 线性充电,电容C2 线性放电,因此,S1 为零电压关断。A 、B 间电压也开始线性下降,在t2 时刻VAB 电压为零时,该阶段结束。 3)阶段3[t2~t3] VAB 电压为零,输出整流二极管短路(Dr1、Dr2 换流),输出端吸收激磁电流,电感

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