微电子工艺中硅衬底的清洗技术-中国表面活性剂网.PDF

维普资讯 诲 遵 清洗世界Cl2006，22(2)：29—33 eaningWorld 微 电子工艺中硅衬底的清洗技术 张远祥 刘玉岭 袁育杰 (河北工业大学微电子所，天津 30ol30) 摘 要：通过研究硅片表面颗粒的吸附原理，提出了优先吸附模型，并提出改进SC一1的配方， 不仅能去除颗粒，而且能有效去除有机物。介绍一些操作方法更加简单、去除更加彻底以及更 加环保的清洗新技术。通过分析微电子技术的发展要求，指出今后硅片清洗工艺的发展趋势。 关键词：硅片；表面活性荆；微粗糙度；腐蚀；臭氧 中图分类号：TN405 文献标识码 ：A Cleaningtechnologyforsiliconsubstrateinmicroelectronics ZHANGYuanxiang，LIUYuling，YUANYufie (InstituteofMicmelectmnics，HebeiUniversityofTechnology，Ti卸jin300130) Abstract：Thepriorityforabsorption modelsandtheimprovedprescriptionofSC——1wereproposed throughresearchingtheprincipleoftheba soprtionofparticlesonthesiliconwafersurface．Theimproved SC—-1Cna removenotonlytheparticlesbutalsotheorgnaicsubstnaceeffectively．Somenewsiliconwafer clena ingtechnologieswitheasieroperateing，mOlE：completelyremovalnadwellenvironmentalprotection weregiven．Thisarticledemonstratesthedevelopmenttrendofhtetechnoloyg ofsiliconwaferclenaingin htefuturethroughnaalyzinghtedemnadforthedevelopmentofmicmelectronicstechnology． Keywords：siliconwafer；surfactant；RMS；etching；03 在超大规模集成电路制造过程中，成长薄膜、扩 底片上吸附物不多于 500个／m2x0．12pan，金属污 散、光刻、刻蚀等各个工艺过程要经过80多次清洗。 染小于 10帕atonr／cm2。此外，微 电子技术发展到今 微电子清洗是清洗过程中对环境、试剂、清洗参数要 天，仅仅除去硅片表面上的沾污已不再是最终的要 求最高的清洗l1j，它的清洗方法与技术及其清洗机 求，在清洗过程中造成的硅片表面化学态、氧化膜厚 理均可提升和带动其他行业的清洗。由于 ULSI集 度、表面粗糙度等已成为同样重要的参数 【。目前， 成度的迅速提高和器件尺寸的减小，对于硅片表面 由于清洗不佳引起的器件失效已超过集成电路制造 沾污的要求更加严格[，ULSI：1二艺要求在提供的衬 中总损失的一半。通常硅片表面的污染物主要为颗 收稿 日期：2005一l1—23 基金项 目：天津市重点自然科学基金(O438O12l1) 作者简介：张远祥(1978一)，男，江西省南康市人，在读硕士，主要研究超大规模集成电路工艺