种用于ADC模拟集成电路设计和分析的MOS-计算机工程与科学.PDF

维普资讯 CN43—1258／TP 计算机工程与科学 2006年第28卷第8期 ISSN 1007—13OX COMPUTERENGINEERING SCIENCE VO1．28．No．8，2006 文章编号：1007—130X(2006)08—0105—03 一 种用于ADC模拟集成电路设 计和分析的MOS晶体管模型 A M OSTransistorModelSuitablefortheDesign andAnalysisofADC AnalogIntegratedCircuits 殷 湛，郭 立，杨吉庆 YINZhan，GUOLi，YANGJJ-qing l中国科学技术大学电子科学与技术系．安徽 合肥 230026) lDepartmentofElectronicsScienceaIldTechnology-UniversityofScienceandTechnologyofChina，Hefei230026-China) 摘 要：本文提出了一个适合模拟集成电路设计和分析的金属氧化物场效应晶体管模型。它以晶体管反型系数 ，为 基础 ，表达式具有简洁的形式和良好的精度，并通过一个ADC电路中经常出现的简单共源极放大器的设计过程和仿真结 果的对比分析，解释说明这个模型的具体应用。 Abstract：ThispaperpresentsaMoStransistormode1．whichcanbeappliedtOanalogintegratde circuitdesignanda— nalysisconveniently．Thebriefexpressionswithgoodprecisionarebasde ontheinversioncoefficienti|．Finallythedesing resultsnadsimulationsofacommon-sourceamplifierinADCcircuitsillustratethemodelsapplications． 关键词：金属氧化物场效应晶体管；跨导；反型系数；模数转换器 Keywolds：MOSFET；trans-conductance；inversioneoefficient；ADC 中图分类号：TN386．1 文献标识码：A 广泛用于各种计算机仿真软件中，但它采用了较多经验参 1 引言 数和复杂的表达式，给设计带来一定的困难。本文介绍了 一 种适合于快速计算的简单MOS晶体管估算模型，它具 当今市场越来越趋向于混合信号芯片的需求，要求模拟 备简洁的形式和良好的精度。在进行电路设计时，只须根 信号和数字信号设计领域有对等协调的发展步调。数字电 据相应工艺的一些基本参数和设计要求，就能很方便地得 路设计领域拥有很好的辅助设计工具和方法，而模拟电路方 到设计电路所需要的M0S晶体管的宽长 比、偏置电流和 面缺乏与之相一致的设计方法。模拟电路种类繁多，工艺及 截止频率等重要数据。最后，从ADC电路中提取出一个简 结构复杂，设计灵活，其版图的设计也主要通过全定制方法 单的共源极放大器电路，通过对比设计结果和 HSPICE仿 完成，自动设计的难度远大于数字电路。作为模拟电路中最 真结果来分析说明这个模型的具体应用 。 常用的器件，金属氧化物半导体(M06)器件电性能的好坏 很大程度上决定了集成电路芯片的性能指标。因此，建立一