高机电班《电子技术期末试卷》概要1.doc

14秋职高机电1、2《电子技术基础》期末考试题 命题：刘敏 题号 一 二 三 四 五 总分 得分 一、判断题（每小题1分，共10分） 1.多级放大器的通频带比组成它的每级放大器的通频带都窄。 ( ) 2.半导体器件一旦击穿便将失效，因为击穿都是不可逆的。( ) 3．晶体管放大器去掉负载RL后，电压放大倍数将比有载时提高。 （ ） 4.三级管只要工作在线性放大区就有VcVbVe。（ ） 5.二极管桥整流电路，如果一个二极管接反，结果会烧毁整流管和变压器。 （ ） 6.半导体的反向漏电流越大越好。（ ) 7.三极管无论工作在何种状态，电流IE=IB+IC=(1+β)总是成立。 （ ） 8.光电二极管必须接反向电压才能正常工作。（ ） 9.单向桥式整流电路在输入交流电压的每半周内都有两只二极管导通。（ ） 10.三极管的发射区和集电区都是同类半导体材料,因此c和e可以互换。 （ ） 二、填空题（每空1分，共35分） 11.半导体的特性为________ 性、__________性、__________性。 12.二极管具有________ 特性。 13.PN结加正向电压，是指电源的正极接_______区，电源的负极接_______区。（