2012年电子技术（高教第2版）章节练习题一及答案.docVIP

第一课习题 对PN结施加反向电压时，参与导电的是（B） A. 多数载流子 B. 少数载流子 C. 既有多数载流子又有少数载流子 当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量(A) A. 增加 B. 减少 C. 不变 用万用表的R×100Ω档和R×1kΩ档分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测试结果(C) A. 相同 B. 第一次测试值比第二次大 C. 第一次测试值比第二次小 两个稳压值不同的稳压二极管用不同的方式串联起来，可组成的稳压值有(C)： A. 两种 B. 三种 C. 四种 在下图中，稳压管Vw1和Vw2的稳压值分别是6V和7V，且工作在稳压状态，由此可知，输出电压Uo为(D)： A. 6V B. 7V C. 0V D. 1V 将一只稳压二极管和一只普通二极管串联后，可得到的稳压值是(A) A. 两种 B. 三种 C. 四种 半导体是一种导电能力介于（A ）和（B ）之间的物质。 A. 导体 B. 绝缘体 C. 化合物 在本征半导体中，自由电子浓度（ C）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（B ）空穴浓度，在N型半导体中，自由电子浓度（ A）空穴浓度。 A. 大于 B. 小于 C. 等于 半导体中的电流是（B ）与（A ）的代数和．杂质半导体中的多数载流子是由（ D）产生的；少数载流子是由（C ）产生的。 A. 空穴电流 B. 电子电流 C. 本征激发 D.掺杂， 使PN结正偏的方法是：将P区接（ B）电位，N区接（A ）电位。正偏时PN结处于导通状态，反偏时PN结处于截止状态。 A. 低 B. 高 空间电荷区不存在载流子，只有不能移动的离子，其中靠近P区的是（A ）离子，靠近N区的是（ B）离子。所建电场有利于少子的漂移运动，阻碍多子的扩散运动。 A. 负 B.正 二极管的反向击穿分为（A ）击穿和（B ）击穿。击穿后如果反向电流不超过允许值，则二极管只是（C ）击穿，不致损坏。否则因功耗太大使管子过热损坏时称为（ D）击穿。 A. 齐纳 B. 雪崩 C. 电 D. 热 稳压二极管工作时，其反向电流必须在（ A）范围内，才能起稳压作用，并且不会因热击穿而损坏。 A. Iwmin～IWmax B. Vwmin～VWmax 发光二极管内部仍是一个（ A），当外加适当的正向电压时，N区的自由电子和P区的空穴在扩散过程中复合，释放的能量以光的形式表现出来。 A. PN结 B.P型半导体 C.N型半导体 反向电压引起反向电流据增时的PN结处于（ B）状态，该状态是（ A）二极管的工作状态，是普通二极管的故障状态。 A. 稳压 B.击穿 C.普通 理想二极管正向导通时，其压降为（A ）V，反向截止时，其中电流为（A ）A，这两种状态相当于一个开关。 A. 0 B.＋1 C. －1 发光二极管按其发光效率的高低可分为（C ）型、（B ）型和（A ）型。 A. 普通 B.高亮度 C.超高亮度 用万用表R×100Ω档和R×1kΩ档测试一个正常二极管时，指针偏转角很大，这时可判定黑表笔接的是二极管（B ）极，红表笔接的是二极管（A ）极。 A. 负（阴） B.正（阳） 面接触型二极管适用于(B ) A. 高频检波电路 B.工频整流电路 在N型半导体中，掺入大量的三价杂质可以使其变为（B ）半导体。 A. N型 B. P型 2