量子阱红外探测器掺杂阱中能级的计算-激光与红外.PDFVIP

第 34 卷 　第 3 期 　　　 　　　　　　　　　　　　激 光 与 红 外 Vol. 34 ,No. 3 　2004 年 6 月 　　　　　　　　　　　　　　LASER 　　INFRARED June ,2004 ( ) 　　文章编号 2004 量子阱红外探测器掺杂阱中能级的计算 王 　斌 ,邓 　军 ,邢艳辉 ,李建军 ,李 　兰 ,沈光地 (北京市光电子技术实验室 ,北京工业大学 ,北京 100022) 摘 　要 :量子阱中能级位置的确定是获得量子阱红外探测器其它设计参数的基础。为了提供 足够的载流子跃迁 ,阱层一般为重掺杂层。重掺杂使半导体材料禁带宽度变窄 ,从而改变量子 阱中能级的位置。通过对不同温度、量子阱区不同掺杂浓度条件下的量子阱材料 PL 谱进行测 量 ,得出 PL 谱峰值波长对应的电子跃迁峰值能量 ,它与阱中基态能级的位置有关。分别计算 了考虑和不考虑禁带变窄效应时的电子跃迁峰值能量 ,并与实验结果相比较 ,可以看出考虑禁 带变窄效应时与实验结果相吻合 ,因此掺杂量子阱区能级的计算需要考虑禁带变窄效应 ,这样 可以较为精确的得出阱中能级的位置。 ( ) 关键词 :量子阱红外探测器 ;光致发光 PL 光谱 ;重掺杂 ;能级计算 中图分类号:TN215 　　　文献标识码 :A Energy Level Calculation of Doping Quantum Well for QWIP WANG Bin ,Deng Jun ,XING Yanhui ,LI Jianjun ,LI Lan ,SHEN Guangdi ( ) Beijing University of Technology ,Beijing Optoelectronic Technology Lab ,Beijing 100022 ,China Abstract :Achieving the energy level position in quantum wells of quantum well infrared photodetectors (QWIPs) is the base of designing QWIP other parameters. In order to get sufficient carriers ,the quantum wells are often heavily doped. The heavily doping will narrow the forbidden gap and change the energy level in quantum wells. PL spectrum of QWIPs material at differ ent temperature and doping concentration were maesured. The maximum of electron transition energy was obtained ,which is corresponded with the maximum of PL spectrum and is related with the position of the ground state energy level in quantum wells. The maximum