硅NPN三极管的设计及平面工艺研究.docVIP

硅NPN三极管的设计与平面工艺研究 马慧莉 四川大学物理学院2004级微电子专业 摘要：本文介绍根据所要求的设计目标设计出NPN三极管的工艺参数和各区参数，用抛光好的硅片通过氧化、扩散、光刻这三个最基本的平面工序，制备出能用晶体管特性测试仪测试放大特性和击穿特性的硅平面npn晶体管管芯。通过对所制备管芯特性的测试分析，理解工艺条件对硅NPN平面晶体管的参数的影响 关键词：双极晶体管，工艺，放大倍数，击穿电压 一、引言 自从1948年晶体管发明以来，半导体器件工艺技术的发展经历了三个主要阶段：1950年采用合金法工艺，第一次生产出了实用化的合金结三极管；1955年扩散技术的采用为制造高频器件开辟了新途径；1960年，硅平面工艺和外延技术的出现，是半导体器件制造技术的一次重大革新，它不仅使晶体管的功率和频率特性得到明显提高和改善，也使晶体管的稳定性和可靠性有了新的保证。硅外延平面管，在超高频大功率、超高频低噪声、小电流高增益等方面都有了新的突破，达到了更高的水平。在上个世纪，半导体器件制造中，硅外延平面工艺是最普遍采用的一种。有了硅平面工艺，才使人们早已设想的集成电路得以实现，为电子设备的微小型化开辟了新的途径。 双极型晶体管是最先（1947年）出现的三端半导体器件，由两个pn结组成，是两种极性的载流子（电子与空穴）都参与导电的半导体器件，通常有NPN和PNP两种基本结构，在电路中具有