Ni_4H_SiC肖特基势垒磁场下输运性质的分析.pdfVIP

第 17 卷 　第 4 期 化学物理学报 Vol . 17 , No . 4 2004 年 8 月 CHINESE JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS Aug. 2004 2004/ 044495 Ni/ 4 HSiC肖特基势垒磁场下输运性质的分析 杨 　威 , 　李 　广 , 　李晓光 ( 中国科学技术大学结构分析重点实验室和材料科学与工程系 , 合肥 　230026) 谢家纯 , 　徐 　军 ( 中国科学技术大学物理系 , 合肥 　230026) ( ) ( ) 摘 　要 : 　采用高真空电子束蒸发的方法将镍 Ni 淀积在 4HSiC 0001 面上 ,制备出良好的Ni/ 4HSiC 肖特基接 触. 研究了Ni/ 4HSiC 肖特基势垒在强磁场和低温下的 I - V 特性 ,并以热电子发射理论为基础 ,结合弛豫近似玻 尔兹曼方程对 Ni/ 4HSiC 肖特基势垒在磁场下的输运性质进行了分析和计算 ,发现电流的变化与磁场的平方和 电压成线性关系 ,和温度成反比关系 ,与实验结果基本符合. 关键词 : 　SiC ; 高真空电子束蒸发 ; 肖特基接触 ; 势垒 ; 磁场 中图分类号 : O649 , TN311+ . 7 　　　文献标识码 : A Current Transport Under High Magnetic Fields in Ni/ 4 HSiC Schottky Barrier Yang Wei , 　Li Guang , 　Li Xiaoguang ( a. Structure Research L aboratory , Dep artment of M aterials Science and ) Engineering , University of Science and Technology of China , Hef ei 　230026 Xie Jiachun , 　Xu Jun ( ) b. Dep artment of Physics , University of Science and Technology of China , Hef ei 　230026 Abstract 　Ni/ 4HSiC