Ni(Zr)Si薄膜热稳定性及其肖特基势垒二极管的电学特性.pdfVIP

第 26 卷 　第 6 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 6 2005 年 6 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S J une ,2005 Ni( Zr) Si 薄膜热稳定性及其肖特基势垒 二极管的电学特性 黄 　伟 　卢建政 　张利春 　高玉芝 　金海岩 (北京大学微电子学研究院 , 北京 　10087 1) 摘要 : 提出在 Ni 中掺入夹层 Zr 的方法来提高 Ni Si 的热稳定性. 具有此结构的薄膜 ,600～800 ℃快速热退火后 ,薄 Ω 层电阻保持较低值 ,小于 2 / □. 经 XRD 和 Raman 光谱分析表明 ,薄膜中只存在低阻Ni Si 相 ,而没有高阻Ni Si2 相 生成. Ni ( Zr) Si 的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在 800 ℃以上 , 比没有掺 Zr 的镍硅化物的转变温度上限提高 了 100 ℃. Ni ( Zr) Si/ Si 肖特基势垒二极管能够经受 650～800 ℃不同温度的快速热退火 , 肖特基接触特性良好 , 肖特 基势垒高度为 063eV ,理想因子接近于 1. 关键词 : Ni ( Zr) Si ; 热稳定性 ; X 射线衍射 ; Raman 光谱 ; 肖特基二极管 PACC : 4450 ; 6855 ; 8115N 中图分类号 : TN 30454 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 延层浓度为 5 ×1015 cm - 3 . 常规清洗后将其放入 S 1 　前言 Gun 磁控反应溅射室内,在本底真空度达到 52 × 10 - 5 Pa 时 , 再通入 A r 气后 , 分别溅射 30nm Ni/ 难熔金属硅化物作为接触和局部互连材料有很 2nm Zr/ 15nm Ni 夹层结构. 随后进行第一次快速热 多优点 ,例如接触电阻低 、薄层电阻小 、无电迁徙现 ( ) 退火 R TA , 温度为 600 ℃, 时间为 40 s ,反应生成 象、能够实现自对准结构和承受高温热处理等 ,因而 Ni ( Zr) Si 薄膜. 用 H SO 和 H O 煮 2min ,去除未 在深亚微米集成电路中硅化物技术被广泛应用. Ni 2 4 2 2 反应的 Ni ,Zr . 最后在 600 ～900 ℃范围内对样品进 Si 由于具有薄层 电阻小 、应力小 、易形成浅结等优 行 40 s 的第二次快速热退火. 用四探针法测量 Ni/ 点 ,没有 Ti 硅化物的“桥连”现象和线宽效应 ,也没 Zr/ Si 硅化物薄膜的薄层 电阻 ,采用卢瑟福背散射 有 Co Si2 形成时耗硅多、应力大 、漏电大的缺点 , 因