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第四章 晶圆制备 第四章 晶圆制备 三、磨定位面 单晶体具有各向异性特点，必须按特定晶向进行 切割，才能满足生产的需要，也不至于碎片，所以切 割前应先定向。 定向的原理是用一束可见光或X光射向单晶锭端 面，由于端面上晶向的不同，其反射的图形也不同。 根据反射图像，就可以校正单晶棒的晶向。 一旦晶体在切割块上定好晶向，就沿着轴滚磨出 一个参考面，如图4-4所示。 （二） 清洗步骤 清洗硅片的一般步骤为：去分子→ 去离子→ 去 原子→ 高纯水清洗。 * * 晶棒还要经过一系列加工才能形成符合半导体芯片制造要求的半导体衬底，即晶圆，如图4-1所示。 图4 -1 晶圆 第一节晶圆制备工艺 一、截断 图4-2截断 二、直径滚磨 由于晶体生长中直径和圆度的控制不可能很精确，所以硅棒都要长得稍大一点以进行径向研磨。 图4.3直径研磨 图4-4定位面研磨 图4-5 硅片的类型标志 四、切片 单晶硅在切片时，硅片的厚度，晶向，翘曲度和平行度是关键参数，需要严格控制。晶片切片的要求是：厚度符合要求；平整度和弯曲度要小，无缺损，无裂缝，刀痕浅。 单晶硅切成硅片，通常采用内圆切片机或线切片机。 图4-6内圆切片机外形 图4-7 内圆切片示意图 另一种切片方法是线切片，通过粘有金刚石颗粒的金属