功率MOSEFT—5N60 45A，600V N沟道.PDF

6-1 5N60 产品资料 功率MOSEFT—5N60 4.5A，600V N沟道 5N60功率MOS场效应管采用先进的高压DMOS工艺技术。这种先进工艺使器件具有优良的特性，如极快 的开关速度，极低栅电荷，最小化的导通电阻以及极强的雪崩击穿特性。这种器件非常适合于高效开关电源， DC/DC转换器，PWM马达控制和桥式驱动电路等。 1、特征 · 4.5A，600V， RDS(on)=2.4Ω@Vgs=10V； · 极低栅电荷，典型15nC； ·极低反向转换电容；典型6.5pF · 快速开关能力； · 增强的dV/di能力； · 100%雪崩击穿测试； · 封装型式：TO-220/220F · 最大结温 150 ℃ 2、性能指标 极限值：（除其他标注外Tamb= 25℃） 参 数 符 号 数 值 单 位 最大漏源电压 VDSS 600 V 栅源电压 VGS ±30 V 雪崩电流 IAR 4.5 A 最大持续漏电流 ID 4.5 A 最大脉冲漏电流 (注1) IDM 18 A 雪崩能量（单脉冲） (注2) EAR 210 mJ 峰值二极管恢复dv/dt (注3) dv/dt 4.5 V/ns 最大耗散功率 PD 100 W 工作结温/储存温度范围 T /T -55～150 ℃ J STG 地址（ADD）：无锡新区硕放香楠一路 9 号 电话（Tel）：0510 网址（Http）：Http:// 传真（Fax）：0510 6-2 5N60 产品资料 热性能（除其他标注外Tamb = 25°C） 参数 符号 数值 单位 从结到每只管脚的典型热阻 RθJC 1.25 ℃/W 电性能（除其他标注外Tamb= 25°C）