基于1 3Λm 增益开关DFB 激光器的外电光采样系统3 - 太原理工大学.PDF

第 16 卷第 6 期 红 外 与 毫 米 波 学 报 V o l. 16, N o. 6 1997 年 12 月 J. Infrared M illim. W aves D ecem ber, 1997 基于 1. 3m 增益开关D FB 激光器的 外电光采样系统 王云才 　王贤华　陈国夫 ( 中国科学院西安光机所瞬态光学技术国家重点实验室, 陕西, 西安, 710068) 摘要　建立了基于 1. 3 增益开关分布反馈式( ) 半导体激光器的外电光采样系统. 通过微 m D FB 小的L iT aO 3 电光探头做为电场传感器, 实现了对具有重复频率的快速电脉冲波形的光学采样 测量. 实验测量了光电器件的脉冲响应及微带传输线上的梳状波波形. 系统的性能分析表明该 系统具有 18GH z 的带宽. 关键词　电光采样, 半导体激光器, 增益开关激光二极管. 引言 超快电子学及光电子学的迅速发展, 要求提供相应的快速测试技术. 纯电子测试仪器 ( ) 以内, 且无法对集成器 如采样示波器 受电子采样窗口的限制, 其测量带宽限制在 50GH z [ 1, 2 ] 件内部节点的信号进行测试. 电光采样技术 是利用超短光脉冲做为采样门, 利用电光晶 ( ) 体的pockels 效应对具有重复频率的高速电脉冲进行无扰 微扰 测量. 其时间分辨率可达 [ 3 ] [ 4 ] 150 . 我们曾建立了内电光采样系统 , 获得了 9 的时间分辨率及 043 的电 fs p s mV H z 压灵敏度. 但内电光采样技术要求被测器件本身具有电光效应, 即器件衬底必须为电光晶 体, 同时要求对器件测量点进行光学加工, 限制了其应用. 外电光采样[ 5, 6 ] 利用外部放置电光 探头, 将被测电信号转变为光信号进行测量. 它对信号的干扰小, 且可对二维器件表面的任 意节点进行测量. 我们实现了外电光采样技术, 用增益开关半导体激光器的超短光脉冲做为 采样脉冲, 对光电器件的脉冲响应及微带传输线上的梳状波波形进行了测量. 1　系统装置 外电光采样系统的采样光源是增益开关半导体激光器产生的超短光脉冲, 所用激光器 ( ) 为M IT SUBU SH I EL ECTR IC 公司生产的 1. 3m D FB LD FU 45SD F 38 . 频率合成器及 梳状波发生器为半导体激光器提供增益开关驱动信号, 半导体激光器直流偏置在阈值附近, 在增益开关下半导体激光器产生的光脉冲宽度典型值为 18 ( ) , 脉冲的重复频率为 p s FW HM 945 , 平均光功率为 1. 5 . 采样光脉冲经过起偏镜, 4 波片, 显微物镜耦合进电光探 M H z mW ( ) 攀登计划基金 编号 资助项目 现工作单位太原理工大