基于犐状犣状犜犻犗氧化物半导体材料的薄膜晶体管-液晶与显示.PDF

第 卷 第 期 液 晶 与 显 示 ， ２５ ４ Ｖｏｌ．２５Ｎｏ．４ 　 　 　 　 　 年 月 ， ２０１０ ８ ＣｈｉｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＬｉｕｉｄＣｒｓｔａｌｓａｎｄＤｉｓｌａｓ Ａｕ．２０１０ ｑ ｙ ｐ ｙ ｇ 文章编号： （ ） １００７２７８０２０１００４０５６９０３ 基于 犐狀犣狀犜犻犗氧化物半导体材料的薄膜晶体管 ， １２ ２ １ 姚绮君 ，李曙新 ，张 群 　 （ 复旦大学 材料科学系，上海 ， ： ； １． ２００４３３Ｅｍａｉｌ ０１ ａｈｏｏ．ｃｏｍ．ｃｎ 　 ＠ ｙｑｊ ｙ ２．天马微电子股份有限公司，深圳 ５１８１１８） 　 摘 要：在室温下制备了基于 氧化物半导体的薄膜晶体管，氧化物沟道层中 、 、 的摩尔比 ＩｎＺｎＴｉＯ ＩｎＺｎＴｉ 　 为 。所制备的器件场致迁移率达到 ２／ · ，开关比大于 ５，亚阈值摆幅 ／ 。和未 ４９∶４９∶２ ９．８ｃｍ Ｖ ｓ １０ ０．６１Ｖ ｄｅｃ 掺 器件的比较表明，掺 能使器件阈值正向变化，对场致迁移率也有提高作用。 Ｔｉ Ｔｉ 关 键 词：薄膜晶体管；氧化锌；氧化铟；氧化钛 　 　 中图分类号：Ｏ７５３．２ 文献标识码：Ａ 　　　 犜犺犻狀犉犻犾犿犜狉犪狀狊犻狊狋狅狉狊犅犪狊犲犱狅狀犐狀犣狀犜犻犗犗狓犻犱犲犆犺犪狀狀犲犾犔犪犲狉 狔 ， １２ ２ １ ， ， ＹＡＯＱｉｕｎ ＬＩＳｈｕｘｉｎ ＺＨＡＮＧＱｕｎ ｊ （ ， ， ， ， ： ； １．犇犲犪狉狋犿犲狀狋狅 犕犪狋犲狉犻犪犾犛犮犻犲狀犮犲 犉狌犱犪狀犝狀犻狏犲狉狊犻狋 犛犺犪狀犺犪犻 ２００４３３ 犆犺犻狀犪犈犿犪犻犾 ０１ 犪犺狅狅．