7微机原理第六节：半导体存储器(修改).pptVIP

第六章：半导体存储器 6．1 半导体存储器概述 6．2 随机存取存储器 6．3 只读存储器 6．4 存储器的扩展与应用 6．5 高速缓冲存储器 6．1 半导体存储器概述 ★ 存储器是构成计算机的三大硬件之一 存 储 器 I/O 接 口 输 入 设 备 I/O 接 口 数据总线 DB 控制总线 CB 地址总线 AB 输 出 设 备 CPU CPU 含主板、总线 输入、输出 设备 存储器 内存、外存 6．1 半导体存储器概述 ★ 按存储器与CPU的关系分为：内存和外存 一、内存即内部存储器的简称，又称主存 ◆ 用来存放正在运行的程序和数据，可以被CPU或 外设直接访问； ◆ 内存具有存取速度快的能力，从而保证计算机的 工作速度； ◆ 内存一般都以半导体存储器作为存储介质。 6．1 半导体存储器概述 二、外存就是外部存储器，也称辅存 ◆ 存放暂不处理的程序和数据，不直接与CPU相连接； ◆ 外存通过接口电路与系统相连，其特点是存储容量大； ◆ 外存一般是以磁芯、磁膜或其它磁表面材料做为存储 介质，也可以是光盘存储器或半导体存储器； 如：硬盘一般为几十GB、CD盘为650MB、 DVD盘为4.7GB、 撚排虜为1G 等。 ★ 大容量半导体存储器如FLASH存储器的价格在迅速 下降，闪存制成的撚排虛成为了一种很受欢迎的外存。 6.1.1 半导体存储器的分类 1．随机读写存储器 RAM（存储器掉电后信息会丢失） 2．只读存储器 ROM（内部存储的信息不会因掉电而丢失） 一、RAM 和 ROM 双极型 半导体 存储器 随机读写 存储器RAM 只读存储器 ROM 可编程 ROM 可擦除、可再编程ROM 不可编程 掩膜ROM 电擦除的E2PROM 紫外线擦除的 EPROM MOS型 静态RAM 动态RAM 6.1.1 半导体存储器的分类 二、随机读写存储器RAM的分类 ★ 根据制造工艺的不同，RAM 主要有双极型和 MOS 型两类。 ★ MOS 型存储器按信息存放方式又可分为： 1．静态RAM（Static RAM，简称 SRAM） 2．动态RAM（Dynamic RAM，简称 DRAM） 三、只读存储器ROM的分类 1．掩膜式ROM：用户不可对其编程，其内容已由厂家设定好； 2．可编程ROM：用户只能对其进行一次编程，写入后不能更改； 3．可擦除PROM：用户可对其进行多次编程，根据擦除方式分为： ◆ 紫外线擦除的PROM，可用紫外线擦除； ◆ 电擦除的E2PROM，其内容可以擦除和改写。 6.1.2 半导体存储器的主要技术指标 一、存储容量 ：存储容量是指系统所能存储的二进制位数 1．用字数×位数表示，以位为单位。如：1024×4bit 2．常用KB、MB、GB和TB为单位表示存储容量的大小。其中 1KB ＝ 210B ＝ 1024B 1MB ＝ 220B ＝ 1024KB 1GB ＝ 230B ＝ 1024MB 1 TB ＝ 240B ＝ 1024 GB 二、存取时间：从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间 单位： n S ～μS ◆ 存取时间越小，存取速度越快。 三、功耗：存储器被加上的电压与流入电流之乘积 1．维持功耗（静态功耗） 2．操作功耗（动态功耗） 6.1.2 半导体存储器的主要技术指标 三、存储周期：连续两次独立的存储器操作所需要的最短间隔时间 ◆ 它是衡量主存储器工作速度的重要指标； ◆ 一般情况下，存储周期略大于存取时间。 四、可靠性：指存储器对外界电磁场及温度等变化的抗干扰能力 ◆ 用平均故障间隔时间来衡量，为两次故障之间的平均时间间隔； ◆ MTBF越长，可靠性越高，存储器正常工作能力越强； ◆ MTBF（Mean Time Between Failures） 五、性能/价格比：衡量存储器经济性能好坏的综合指标 ◆ 性能/价格比简称性价比，是它关系到存储器的实用价值； ◆ 性能包括前述的各项指标； ◆ 价格是指存储单元本身和外围电路的总价格。 6.1.3 存储器技术的新发展 一、闪速存储器 Flash Memory ★