- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
实验一、Cadence软件操作步骤
实验一 基本门电路设计——电路仿真
一、实验内容:
完成CMOS 反相器的电路设计 完成CMOS 反相器的电路设计
实验目的
掌握基本门电路的设计方法 掌握基本门电路的设计方法
熟悉Cadence 的设计数据管理结构,以及定制设计的原理图输入、电路仿真、版图设计、版图验证工具的使用
二、实验目的:基于csmc05工艺,完成一个具有逻辑反相功能的电路
设计要求: 设计要求:
1.反相器的逻辑阈值在Vdd/2附近,即噪声容限最大
2.反相器的版图高度限制为24微米,电源和地线宽度各为2微米
3.反相器宽度限制为mos 器件不折栅
4.为了给顶层设计留出更多的布线资源,版图中只能使用金属1和多晶硅作为互连线,输入,输出和电源、地线等pin脚必须使用金属1
5.版图满足设计规则要求,并通过LVS 检查
三、设计过程:
启动icfb
1.建立自己的设计库
2.用Virtuoso Schematic Composer 画电路图
3. 在Analog Design Environment中进行电路仿真
4. 用Virtuoso (XL)Layout Editer 画版图
5. 利用diva 工具进行DRC检查,用dracula进行DRC和LVS验证。
四、实验步骤
1.Cadence软件操作步骤:
(1).点击桌面虚拟机快捷方式图标;
(2).打开虚拟机(存放路径:F:\cadence);
(3).启动虚拟机
(4).单击右键,Open Teminal,弹出终端对话框,输入Cadence启动命令 icfb(是后台运行的意思)。
2.. 新建一个库
建立自己的Design Lib
第一步:
CIW- Tools-Library manager
第二步:File-New
弹出“New Library ”对话框,在“Name” 项填写要建的design lib的名字,这里是“lesson1” ,选择“Attach to an existing techfile”
第三步:
弹出”Attach Design Library to Technology File”对话框,在“Technology Library” 中选择st02
3.新建一个电路图
(1)File-New-Cellview
(2)弹出“Create New File”对话框,“Library Name”项选择“lesson1”“Cell Name” 项填入”inv”,“Tool” 项选择”Composer-Schematic”“Tool” 项确定后, 相应的“View Name”项会出现内容因而无需输入”,点击“OK”后就进入Virtuso Schematic。
电路图编辑常用快捷键
添加元件i 修改元件属性q 放大], 缩小[ 缩放到原理图合适大小f 移动m 拖拉s 复制c 删除delete 画连线w 添加管脚p 进入底层shift+E 进入上一层ctrl+E (3).添加元器件并修改属性(快捷键i)
Schematic 窗口:Add-Instance,在“Add Instance ”中,点击Browse 在“Add Instance 中,点击Browse,在“Library Browser”中,选择需要添加的Instance,选择需要添加的 Library:st02 Cell: mp, Cellview: symbol,
编辑元件的属性: 修改MOSFET的Length=550nm, Total Width=6um
再添加一个NMOS管 st02 cell:mn,Cellview: symbol。Length=550nm, Total Width=3um。
再从添加analogLib 库里添加电源vdd和地gnd
(4).画线
按快捷键w,画连线。
(4).添加输入输出管脚
按快捷键p,分别添加输入管脚in和输出管脚out,
(6).创建一个符号(Symbol)
Design-Creat Cellview-From Cellview。弹出窗口 OK。最后生成一个符号,如下图。(这个符号可以修改,这里先不修改)
4. 重新建一个电路图用来仿真
(1)在lesson1下新建一个原理图文件,文件名为inv_test。如下图。
(2).添加刚刚建好的lesson1里面的inv的symbol,analogLib里的vdd,gnd和vdc。
电源电压DC Voltage设置成 5。连接反相器输入端的vdc不用设置。
5.电路仿真
(1)原理图编辑窗口下,调出模拟仿真环境:Tools-Analog Environment,
(2).添加仿真模型(model):Setup-Model libraries,点Browse,找到CSMC05MMPDK的模型文件S05mi
您可能关注的文档
最近下载
- 关于印发《关于推动中央企业加快司库体系建设进一步加强资金管理的意见》的通知.docx VIP
- 转炉和阳极炉讲解.ppt VIP
- 往届二外小升初分班数学测试卷(有答案).pdf VIP
- 2025年全国中小学校党组织书记网络培训示范班在线考试题库及答案.pdf VIP
- 《水利水电工程施工监理规范sl288-2014表格》2016年1月更新.docx VIP
- 线路题库维护考试题库汇总.docx VIP
- 轮毂设计验证计划和报告(DVP&R).xls VIP
- 2025年国家低压电工作业证理论考试题库(含答案).pdf
- 新版GMP口服固体制剂多品种共线生产风险评估报告.pdf VIP
- 重庆某220kv变电站工程施工组织设计(精品).doc VIP
文档评论(0)