第三章 09半导体存储器、可编程逻辑器件.pptVIP

RAM位数的扩展： 用2片RAM2114由(1k?4位）扩展为(1k?8位) I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 I/O3 I/O2 I/O1 I/O0 RAM字数的扩展： 用2片RAM2114由(1k?4位）扩展为(2k?4位) I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O3 I/O2 I/O0 I/O1 1 A10=0选中第1片 A10=1选中第2片 §5 可编程逻辑器件 （PLD——Programmable Logic Device） 可编程逻辑器件是一种可以由用户编程执行一定逻辑功能的大规模集成电路。其核心部件是一个与阵列和一个或阵列，用户通过编程器对与阵列或或阵列进行编程，可以实现各种组合逻辑关系或时序逻辑功能。 输 入 电 路 与 阵 列 或 阵 列 输 出 电 路 . . . . . . 输 入 项 输 出 项 乘 积 项 和 项 导线交叉点的含义 固定连接： PLD出厂时，厂家已将该点“固化”成永久性连接点，用户不能改变。 编程连接： 厂家留给用户编程用。用户编程时，需要两线连通，则保留“?”号，需要两线断开，则擦除“?”号。 断开连接 * 第九章半导体存储器可编程逻辑器件 半导体存储器几乎是当今数字系统中不可缺少的重要组成部分，它可以用来存储大量的二进制数据。 半导体存储器由半导体集成电路制成，具有集成度高、存取速度快、体积小等特点。 半导体存储器的容量用能存储二进制数的字数与每个字的位数的乘积表示，如1024?1（1K）,2048 ? 8（16K）等。 计算机 存储器 内存储器— 要求存取速度要快，一般采用半导体存储器。 外存储器— 要求存储容量大，一般采用磁盘、光盘等。 §1 半导体存储器概述 半导体 存储器 ROM RAM 静态RAM 动态RAM 掩模ROM （不可改写ROM、固定ROM） 一次可编程ROM（PROM） 光可擦除可编程ROM（EPROM） 电可擦除可编程ROM（E2PROM） ROM——Read Only memory RAM——Random Access Memory §2 ROM存储器 1 掩模ROM 由二极管构成的 掩模ROM 2/4线地 址 译 码 器 输出缓冲器 D3 D2 D1 D0 Y0 Y2 Y1 Y3 A1 A0 存储矩阵 掩模ROM在制造时，生产厂家利用掩模技术把数据写入存储器中，一旦ROM制成，其存储的数据固定不变。 4条字线 位线 两位地址输入 2/4线地 址 译 码 器 输出缓冲器 D3 D2 D1 D0 Y0 Y2 Y1 Y3 A1 A0 存储矩阵 存储容量：4 ? 4=16 2/4线地 址 译 码 器 输出缓冲器 D3 D2 D1 D0 Y0 Y2 Y1 Y3 A1 A0 A1A0=00 选中字线Y0 Y0=1 Y1=Y2=Y3=0 接在Y0线上的 二极管导通 D2=1、D0=1 D3D2D1D0=0101 工作原理 D3 D2 D1 D0 Y3 Y2 Y1 Y0 A1 A0 0 1 0 0 0 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 0 0 0 1 1 1 0 1 1 0 0 1 0 0 1 0 1 0 1 0 0 0 1 0 0 位线 （存储内容） 字线 地址 存储内容列表 2/4线地 址 译 码 器 Y0 Y2 Y1 Y3 A1 A0 输出缓冲器 D3 D2 D1 D0 +UCC 由三极管构成的 掩模ROM A1A0=00 选中字线Y0 Y0=1 Y1=Y2=Y3=0 接在Y0线上的 三极管导通 D2=1、D0=1 D3D2D1D0=0101 工作原理 2/4线地 址 译 码 器 Y0 Y2 Y1 Y3 A1 A0 输出缓冲器 D3 D2 D1 D0 +UCC 由 NMOS管构成的 掩模ROM 2/4线地 址 译 码 器 Y0 Y2 Y1 Y3 A1 A0 D3 D2 D1 D0 +UCC 1 1 1 1 负载管 2/4线地 址 译 码 器 Y0 Y2 Y1 Y3 A1 A0 D3 D2 D1 D0 +UCC 1 1 1 1 负载管 A1A0=00 选中字线Y0 Y0=1 Y1=Y2=Y3=0 接在Y0线上的 NMOS管导通 D2=1、D0=1 D3D2D1D0=0101 工作原理 2 一次可编程ROM（PROM） PROM在出厂时，存储内容全为1（或全为0）