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机碳分析的衍变过程以及制药行业中最新的总有机碳检测技术2
TOC 的基本概念 常用縮寫 TOC - 總有機碳 DOC - 可溶性有機碳 NPOC - 難氣洗有機碳 POC - 易氣洗有機碳 VOC - 揮發性有機碳 TIC (IC) - 無機碳 TC - 總碳﹐是TOC和IC的總和 無機碳 IC = CO2(水溶液) + HCO3_ + CO32- ( pH 4.3) (中性) (pH 10.3) CO2(液) 二氧化碳的水溶液 HCO3_ 碳酸氫根 CO32- 碳酸根 自然界︰動植物的腐爛 工業排放︰石化、造紙、制药、有機試劑 農業︰殺虫劑、化肥 家庭︰清潔劑、人畜排泄物 TOC分析方法应用衍变过程 TOC 測試技術的衍变过程 石油化工工业的掘起 - 50年代中期 废水排放控制 TOC分析范围: 上限可超过 1000 PPM 以上 半导体工业的掘起 – 70年代到至今 纯水,超纯水 TOC分析范围: 下限可达到 100 PPB - 1 PPB 以下 TOC 測試技術的衍变过程 制药业的注射用水和制药用水开始对TOC方法的採纳 – 始于90年代 日本(有限),美国,欧洲 TOC 分析范围: 可准确分析 100 PPB 以下 美国药典(USP)第643章 總有機碳方法於1998年5月15日起被正式起用 USP-23版第八增版正式去除了易氧化物法 总有机碳检测技术及新趋势 TOC測定的基本原理 氧化技術 高溫氧化 加熱的過硫鹽氧化 紫外線加過硫鹽氧化 紫外線氧化 紫外線加二氧化鈦氧化 燃燒氧化 高溫爐絲 空氣/O2+ 鉑 (Pt) 催化劑﹐在 680-950 oC 優點 氧化效率高 能氧化顆粒 可用在清潔驗證 缺點 催化劑會中毒﹐必須替換 必須使用試劑﹑載氣和酸 空白污染 可測極限高 加熱的過硫鹽氧化 S2O82_ + 加熱 (90 - 130 oC) → 2SO4_? SO4_ ? + H2O → SO42_ + OH? 優點 氧化效率高 無催化劑和燈管 適用於清潔驗證和制药用水 紫外氧化 H2O + hn (185 nm) à OH. + H. 優點 無試劑 無催化劑中毒 保養簡單 適用於半導體工業和 USP制药用水 缺點 對較高濃度的TOC氧化能力不足 (2.5 ppm TOC) 對顆粒物氧化會不完全 需更換燈管 紫外線加二氧化鈦氧化 H2O + hn (185 nm) à OH . + H . H2O + hn (185 nm, TiO2) à OH . + H . 優點 無試劑 保養簡單 可用於半導體工業和 USP制药用水 缺點 對較高濃度的TOC氧化能力不足 (5 ppm TOC) 對顆粒物氧化會不完全 需更換燈管 催化劑中毒 紫外線加過硫鹽氧化 H2O + hn (185 nm) à OH. + H. S2O82_ + hn (185 nm) à 2SO4_. SO4_. + H2O à SO42_ + OH.+ H+ 優點 無論TOC在高濃度還是低濃度氧化效率高 保養簡單 適用於清潔驗證和USP制药用水 缺點 對顆粒物氧化會不完全 用化學試劑 需更換燈管 CO2 检測技術 非分散紅外探測 (NDIR) 直接電導率探測 薄膜電導率探測 非色散紅外(NDIR)检測 優點 成熟的技術 選擇性好 可測試去離子水和非去離子水中TOC 對CO2的响应時間快 可用於清潔驗證和USP制药用水 被美國試驗材料學會(ASTM) 認可 缺點 探測器漂移 (校准頻繁) 體積大及預熱時間長 線性動力學范圍有限 水的干擾 (必須去除載氣中的水份) 必須去除溶液裡的CO2 (氣吹法) 使用高純載氣 不易准确分析试剂水中TOC 直接電導率检測 直接電導率检測 優點 系統簡單﹐不用載氣和干燥器 校准穩定 可用於USP制药用水 缺點 選擇性差﹐无法去除CO2以外的其它離子的干扰 只能測去離子水 電極會被沾污 不能用於清潔驗證 沒有被美國試驗材料學會(ASTM)認可,不是标准方法 薄膜電導率检測 - 选择性薄膜技术(专利) 薄膜電導率TOC 分析仪流程图 薄膜電導率检測 優點 可測去離子水和非去離子水 靈敏度高﹐選擇性和精確度好 多用性 - 在线与非在线 校准穩定 適用於清潔驗證和USP制药用水 被美國試驗材料學會(ASTM)認可 (ASTM5904-96, ASTM5997-96, ASTM6317-98), 並採入美国EPA标准方法 (5310C). 缺點 測非去離子水需用
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